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HMC998A-DIE

量产

GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器，0.1 - 22 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

高P1dB输出功率： +32.5 dBm
高Psat输出功率： +33.5 dBm
高增益： 14.5 dB
高输出IP3：43 dBm
电源电压：+15 V (500 mA)
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸： 2.98 x 1.78 x 0.1 mm

参考资料

数据手册 1

HMC998A: GaAs pHEMT MMIC 2 Watt Power Amplifier, DC - 22GHz Data Sheet 01/04/2016

应用笔记 4

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

AN-2061: Wideband Bias Tee Design Using 0402, SMD Components 11/30/2020

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC998A	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC998A-SX	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

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S-参数 1

HMC998A S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.