Quantic X-Microwave

ADI RF和微波元件作为Quantic X-Microwave的插入式X-MWblocks®提供。

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HMC902LP3E

量产

低噪声放大器,采用SMT封装,5 - 10 GHz

产品技术资料帮助

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概述

  • 低噪声系数:1.8 dB(典型值)
  • 高增益:19.5 dB
  • 高P1dB输出功率:16 dBm(典型值)
  • 单电源:3.5 V (80 mA)
  • 输出IP3:28 dBm
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 通过可选偏置控制实现自偏置,以降低静态漏极控制(IDQ)。
  • 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装:9 mm²

HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA),通过可选偏置控制实现自偏置,以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz,提供19.5 dB的小信号增益,1.8 dB的噪声系数,28 dBm的输出IP3,采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。

16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出,内部匹配50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。

应用

  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • 军事和太空
  • 测试仪器仪表

HMC902LP3E

低噪声放大器,采用SMT封装,5 - 10 GHz

HMC902LP3E Functional Block Diagram HMC902LP3E Pin Configuration
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Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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