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特性
- 超低噪声：
3nV/√Hz (10 kHz)
7nV/√Hz (1 kHz) - 高电源抑制比(PSRR) 80 dB (1 kHz)，60 dB (1 MHz)
- 四个电压输出：
VR1（3V / 80 mA VR2）
VR3（3V / 20 mA）
VR4（4.5V / 120 mA）
- 可调输出： 2.5V至5.2V
- 低掉电电流： <1 μA
- 16引脚3x3mm SMT封装： 9mm²
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HMC860LP3E是一款BiCMOS超低噪声四通道输出稳压器。 该器件集成低噪声带隙基准电压源并外部去耦，以获得较佳的带内噪声性能。 0.1 MHz至10 MHz范围内具有高电源抑制比(PSRR)，提供针对前置开关稳压器噪声的出色抑制性能。 四个电压输出适合用于频率生成子系统，包括Hittite丰富的集成VCO的PLL系列。 每一个输出电压都可通过一个外部电阻调节为高于或低于默认值。
将相应的HV引脚接地，即可将每一个输出设为5 V。 采用TTL兼容型使能输入可关断稳压器。 HMC860LP3E采用3x3mm QFN SMT封装。
应用
- 测试仪器仪表
- 军用无线电、雷达和ECM
- 基站基础设施
- 超低噪声频率生成
- 小数N分频频率合成器电源
- 混合信号电路电源
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HMC860
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产品技术资料帮助
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参考资料
质量文档 4
磁带和卷轴规格 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC860LP3E |
16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
|
|
|
| HMC860LP3ETR |
16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
|
|
- HMC860LP3E
- 引脚/封装图-中文版
-
16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- HMC860LP3ETR
- 引脚/封装图-中文版
-
16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
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Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
6月 6, 2022
- 22_0048
Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products
HMC860LP3E
最后购买期限
HMC860LP3ETR
最后购买期限
7月 28, 2022
- 22_0023
Product Discontinuance for Select Analog Devices Parts (ADFXXXX, HMCXXX)
HMC860LP3E
最后购买期限
HMC860LP3ETR
最后购买期限
根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
6月 6, 2022
- 22_0048
Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products
HMC860LP3E
最后购买期限
HMC860LP3ETR
最后购买期限
7月 28, 2022
- 22_0023
Product Discontinuance for Select Analog Devices Parts (ADFXXXX, HMCXXX)
评估套件 1
EVAL-HMC860LP3E
HMC860LP3E评估板
产品详情
本页提供评估HMC860LP3E的评估板订购信息。
设计文件链接包含用于评估板的BOM、原理图和Gerber文件。
资料
