概览

优势和特点

  • 超低噪声:
    3nV/√Hz (10 kHz)
    7nV/√Hz (1 kHz)
  • 高电源抑制比(PSRR) 80 dB (1 kHz),60 dB (1 MHz)
  • 四个电压输出:
    VR1(3V / 80 mA VR2)
    VR3(3V / 20 mA)
    VR4(4.5V / 120 mA)
  • 可调输出: 2.5V至5.2V
  • 低掉电电流: <1 μA
  • 16引脚3x3mm SMT封装: 9mm²

产品详情

HMC860LP3E是一款BiCMOS超低噪声四通道输出稳压器。 该器件集成低噪声带隙基准电压源并外部去耦,以获得最佳的带内噪声性能。 0.1 MHz至10 MHz范围内具有高电源抑制比(PSRR),提供针对前置开关稳压器噪声的出色抑制性能。 四个电压输出适合用于频率生成子系统,包括Hittite丰富的集成VCO的PLL系列。 每一个输出电压都可通过一个外部电阻调节为高于或低于默认值。

将相应的HV引脚接地,即可将每一个输出设为5 V。 采用TTL兼容型使能输入可关断稳压器。 HMC860LP3E采用3x3mm QFN SMT封装。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 军用无线电、雷达和ECM
  • 基站基础设施
  • 超低噪声频率生成
  • 小数N分频频率合成器电源
  • 混合信号电路电源

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

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