概览

优势和特点

  • 转换增益:15 dB(典型值)
  • 边带抑制:22 dBc(典型值)
  • 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率:4 dBm(典型值)
  • 输出三阶交调截点(OIP3):33 dBm(典型值)
  • RFOUT上2倍本振(LO)泄漏:5 dBm(典型值)
  • 中频(IF)输入端2倍LO泄漏:-35 dBm(典型值)
  • RF回波损耗:15 dB(典型值)
  • LO回波损耗:15 dB(典型值)
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

产品详情

HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作,前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。

应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 军用雷达、EW和ELINT
  • 卫星通信
  • 传感器

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

设计资源

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