HMC7911
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17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器


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特性
  • 转换增益：18 dB（典型值）
  • 边带抑制：30 dBc（典型值）
  • 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：2 dBm（典型值）
  • 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
  • RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
  • IF输入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
  • RF回波损耗：13 dB（典型值）
  • LO回波损耗：10 dB（典型值）
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装
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HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 军用雷达、EW和ELINT
  • 卫星通信
  • 传感器

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更新 08/24/2015
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HMC7911: 17.0 GHz to 20.0 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter Data Sheet (Rev.B)

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参考资料

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC7911LP5E 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) external-link
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HMC7911LP5ETR 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) external-link
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