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HMC637ALP5E-DSCC: Military Data Sheet10/7/2019
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HMC637ASCPZ-EP: Enhanced Product Data Sheet (Rev. 0)6/26/2019PDF234 K
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HMC637ALP5E: GaAs, pHEMT, MMIC, 1 W Power Amplifier, 0.1 GHz to 6 GHz Data Sheet (Rev. C)4/6/2018PDF262 K
概览
优势和特点
- P1dB输出功率:29 dBm
- 增益:13 dB
- 输出IP3:44 dBm
- 50 Ω匹配输入/输出
- 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2
- 下载HMC637ASCPZ-EP数据手册(pdf)
- 扩展工业温度范围:-55℃至+105°C
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/19618 DSCC图纸号
产品详情
HMC637ALP5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)分布式功率放大器,工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz。该放大器提供13 dB增益、44 dBm输出三阶交调截点(IP3)和29 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为400 mA(采用12 V电源)。HMC637ALP5E在100 MHz至6 GHz范围内的增益平坦度为±0.75 dB,因而非常适合电子战(EW)、电子对抗(ECM)、雷达和测试设备应用。HMC637ALP5E放大器射频(RF) I/O内部匹配至50 Ω,且5 mm × 5 mm引脚架构芯片级封装(LFCSP)与大规模表贴技术(SMT)组装设备兼容。
应用
- 电信基础设施
- 微波无线电
- 甚小孔径终端(VSAT)
- 军事与太空
- 测试仪器仪表
- 光纤产品
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
参考资料
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AN-2061: Wideband Bias Tee Design Using 0402, SMD Components11/30/2020
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利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求5/13/2020
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AN-1604:采用LFCSP和法兰封装的RF放大器的热管理计算(修订版0)8/9/2019PDF247 K
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Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note11/11/2015PDF189 K
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RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018PDF3 M
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Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-K (QTR: 2013-00500)3/2/2016PDF841 K
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Package/Assembly Qualification Test Report: LP3, LP4, LP5 & LP5G (QTR: 2014-00145)4/22/2015PDF810 K
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5 x 5 mm QFN Tape Specification (LP5, LC5, LH5)10/28/2015PDF459 K
工具及仿真模型
S参数
设计工具
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
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HMC637ALP5E | 材料声明 | 质量和可靠性 | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | |
HMC637ALP5ETR | 材料声明 | 质量和可靠性 | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | |
HMC637ASCPZ-EP-PT | 材料声明 | 质量和可靠性 | 32-lead LFCSP (5mm x 5mm) | |
HMC637ASCPZ-EP-R7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 32-lead LFCSP (5mm x 5mm) | |
Wafer Fabrication Data |
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