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HMC637A: Bare Die Data Sheet10/22/2015
概览
优势和特点
- P1dB输出功率: +30.5 dBm
- 增益: 14 dB
- 输出IP3: +41 dBm
- 偏置电源: +12V、+6V、-1V
- 50 Ω匹配输入/输出
- 裸片尺寸: 2.98 x 2.48 x 0.1 mm
产品详情
HMC637A是一款GaAs MMIC MESFET分布式功率放大器裸片,工作频率范围在DC至6 GHz。 该放大器提供14 dB增益、+41 dBm输出IP3和+30.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为400mA(采用+12V电源)。 HMC637A在DC至6 GHz范围内提供±0.5 dB的出色增益平坦度,因而适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。
HMC637A放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗,方便集成多芯片模块(MCM)。 数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
- 电信基础设施
- 微波无线电和VSAT
- 军事和太空
- 测试仪器仪表
- 光纤产品
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。
参考资料
工具及仿真模型
设计工具
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
---|---|---|---|---|
HMC637A | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
Wafer Fabrication Data |
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