HMC637A-Die
量产GaAs MMIC 1 W功率放大器，DC - 6 GHz
- 产品模型
- 1
概述
- P1dB输出功率： +30.5 dBm
- 增益： 14 dB
- 输出IP3： +41 dBm
- 偏置电源： +12V、+6V、-1V
- 50 Ω匹配输入/输出
- 裸片尺寸： 2.98 x 2.48 x 0.1 mm
HMC637A是一款GaAs MMIC MESFET分布式功率放大器裸片，工作频率范围在DC至6 GHz。 该放大器提供14 dB增益、+41 dBm输出IP3和+30.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为400mA（采用+12V电源）。 HMC637A在DC至6 GHz范围内提供±0.5 dB的出色增益平坦度，因而适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。
HMC637A放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，方便集成多芯片模块(MCM)。 数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
- 电信基础设施
- 微波无线电和VSAT
- 军事和太空
- 测试仪器仪表
- 光纤产品
参考资料
数据手册 1
应用笔记 5
停产数据手册 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC637A | CHIPS OR DIE |
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Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
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