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HMC570 Die Datasheet10/20/2015
概览
优势和特点
- 转换增益： 10 dB
- 镜像抑制： 17 dB
- 2 LO至RF隔离： 35 dB
- 噪声系数： 3 dB
- 输入IP3： +3 dBm
- 裸片尺寸： 2.33 x 2.73 x 0.10mm
产品详情
HMC570是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，在整个频段范围内提供10 dB的小信号转换增益、3 dB的噪声系数和17 dB的镜像抑制性能。 该设备采用LNA，后接由有源2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。
它具有I和Q混频器输出，所需外部90?混合型器件用于选择所需边带。 以下所示的数据均通过安装在50 Ohm测试夹具中的芯片获取，且包括每个端口上直径为1 mil、长度为20 mil的焊线效应。 该产品为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件。
应用
- 点对点
- 点对多点无线电
- 军用雷达、EW和ELINT
- 卫星通信
产品分类
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
工具及仿真模型
设计工具
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC570 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| HMC570-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
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