HMC570-Die
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特性
- 转换增益： 10 dB
- 镜像抑制： 17 dB
- 2 LO至RF隔离： 35 dB
- 噪声系数： 3 dB
- 输入IP3： +3 dBm
- 裸片尺寸： 2.33 x 2.73 x 0.10mm
更多细节
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HMC570是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，在整个频段范围内提供10 dB的小信号转换增益、3 dB的噪声系数和17 dB的镜像抑制性能。 该设备采用LNA，后接由有源2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。
它具有I和Q混频器输出，所需外部90?混合型器件用于选择所需边带。 以下所示的数据均通过安装在50 Ohm测试夹具中的芯片获取，且包括每个端口上直径为1 mil、长度为20 mil的焊线效应。 该产品为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件。
应用
- 点对点
- 点对多点无线电
- 军用雷达、EW和ELINT
- 卫星通信
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参考资料
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技术文档
1
数据手册 1
参考资料 2
设计资源 2
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC570 | CHIPS OR DIE |
|
|
| HMC570-SX | CHIPS OR DIE |
|
- HMC570
- 引脚/封装图-中文版
- CHIPS OR DIE
- 文档
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- HMC570-SX
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