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概览

优势和特点

  • 噪声系数:0.9 dB
  • 输出IP3+35 dBm
  • 增益:14 dB
  • 低损耗LNA旁路路径
  • 单电源:+5V (90 mA)
  • 50 Ω匹配输出

产品详情

HMC373LP3 / HMC373LP3E均为多功能、高动态范围GaAs MMIC低噪声放大器,在IC上集成低损耗LNA旁路模式。该放大器非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收器,工作频率范围为700至1000 MHz,在+5V单电源时(90 mA)提供0.9 dB的噪声系数、14 dB的增益和+35 dBm的输出IP3。输入和输出回波损耗分别为28和12 dB,LNA仅需四个外部元件,即可优化RF输入匹配、RF接地和直流偏置。通过使单一控制线路开路或短路,LNA可切换至2.0 dB的低损耗旁路模式,功耗降至10 μA。对于要求改善噪声系数的应用,请参见HMC668LP3(E)。

应用

  • GSMGPRSEDGE
  • CDMAW-CDMA
  • 专用陆地移动射频

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

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工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

设计资源

ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
HMC373LP3E 材料声明 质量和可靠性 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
HMC373LP3ETR 材料声明 质量和可靠性 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
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