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HMC341-Die

量产

低噪声放大器芯片，24 - 30 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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概述

出色的噪声系数： 2.5 dB
增益： 13 dB
单电源： +3V (30 mA)
小尺寸： 1.42 x 1.06 x 0.1 mm

HMC341芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为24至30 GHz。由于尺寸较小(1.51 mm²)，该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成，采用3V (30 mA)单个偏置电源时提供13 dB增益，噪声系数为2.5 dB。所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。

应用

毫米波点对点无线电
LMDS
VSAT 和SATCOM

产品模型: 2

参考资料

数据手册 1

HMC341CHIP: GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 30 GHz Die Datasheet 02/08/2022

应用笔记 5

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

AN-2622: Selecting an Analog Devices RF Low Noise Amplifier 09/04/2025

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC341	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys
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S-参数 1

HMC341 Die S-Parameters