HMC1114PM5E
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HMC1114PM5E

> 10 W (42 dBm)， 2.7 GHz 至 3.8 GHz， GaN 功率放大器

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特性
  • 高小信号增益：34.5 dB（典型值）
  • 高输出功率：PIN = 18 dBm 时为 42 dBm（典型值）
  • 高 PAE：PIN = 18 dBm 时为 55%（典型值）
  • 频率范围：2.7 GHz 至 3.8 GHz
  • 电源电压：静态电流为 150 mA 时 VDD = 28 V
  • 5 mm × 5 mm、 32 引脚 LFCSP_CAV 封装
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HMC1114PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器，可在 18 dBm 的输入功率 (PIN) 下，在 2.7 GHz 至 3.8 GHz 瞬时带宽范围上实现大于 10 W (高达 42 dBm) 的输出（典型值），功率附加效率 (PAE) 高达 55%。在小信号电平下，增益平坦度典型值小于 1 dB。

HMC1114PM5E 适合脉冲波或连续波 (CW) 应用，例如无线基础设施、雷达、公共移动射频和通用放大技术。

应用

  • 适合公共移动射频的长时间电池供电运行
  • 无线基础设施的功率放大器级
  • 测试与测量设备
  • 商用和军用雷达
  • 通用变送器应用
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HMC1114PM5E

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更新 10/17/2018
英文

HMC1114PM5E: >10 W (42 dBm), 2.7 GHz to 3.8 GHz, GaN Power Amplifier Data Sheet (Rev.0)

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更新 10/17/2018
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HMC1114PM5E: 10W（42dBm）超、2.7GHz～3.8GHz、GaN パワー・アンプ データシート

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更新 05/13/2020
英文
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers redirect icon

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更新 05/13/2020
中文
利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 redirect icon

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更新 08/01/2019
英文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
中文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
日文
AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 redirect icon

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参考资料

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产品选型指南 1

RF、微波和毫米波IC选型指南

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2023-06-29

03:38

GaN Power Amplifier Biasing

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ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1114PM5E 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) external-link
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HMC1114PM5ETR 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) external-link
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