概览

优势和特点

  • 4 A峰值电流(<2 Ω RDSON_x)
  • 逻辑输入电压:2.5 V至6.5 V
  • 输出电源电压:4.5 V至35 V
  • UVLO VDD1趋正阈值:2.5 V(最大值)
  • 用于VDDA和VDDB趋正阈值的多个UVLO选项
    • A级:4.5 V(最大值)
    • B级:7.5 V(最大值)
    • C级:11.6 V(最大值)
  • 精密时序特性
    • 传输延迟:44 ns(最大值)
  • 可调的死区时间和双输入(ADuM4221)
  • 可调的死区时间和单输入(ADuM4221-1)
  • 无死区时间控制和双输入(ADuM4221-2)
  • CMOS输入逻辑电平
  • 高共模瞬变抗扰度:150 kV/µs
  • 工作结温最高可达:125°C
  • 默认低电平输出
  • 安全和法规认证(申请中)
    • UL认证(UL 1577)
      • 5700 V rms持续1分钟
    • CSA元件验收通知5A
    • VDE合格证书
      • DIN V VDE V 0884-11: VIORM = 849 V 峰值
  • 增强爬电距离宽体、16引脚SOIC_IC封装

产品详情

The ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 均为4 A隔离式半桥栅极驱动器,采用ADI公司的iCoupler,sup>®

隔离器采用2.5 V至6.5 V逻辑输入电压工作,可与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的输入与各输出之间具有真电气隔离优势。

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均内置有重叠保护,且允许进行死区时间调节。死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻在高端和低端输出之间的次级侧设置死区时间。

如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度,内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此,ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。

应用

  • 开关电源
  • 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
  • 工业逆变器
  • 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容

1受美国专利5,952,849、6,873,065、7,075,239保护。其他专利正在申请中。

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工具及仿真模型

IBIS模型

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