概览

优势和特点

  • 4 A 峰值电流 (<2 Ω RDSON_x)
  • 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压
  • 4.5 V 至 35 V 输出电源电压
  • UVLO VDD1 时,正向阈值2.5 V (最大值)
  • VDDA 和 VDDB 正向阀值上存在多个正向阈值 UVLO 选项
    • A 级:4.5 V (最大值)
    • B 级:7.5 V (最大值)
    • C 级:11.6 V (最大值)
  • 精准时序特性
    • 44 ns 最大传播延迟
  • 可调停滞时间
  • CMOS 输入逻辑电平
  • 高共模瞬变抗扰度:150 kV/µs
  • 高工作结温:125°C
  • 默认低电平输出
  • 安全和监管审批(申请中)
    • UL 认证:符合 UL 1577
      • 5700 V rms 持续 1 分钟
    • CSA 元件验收通知 5A(申请中)
    • VDE 符合性证书(申请中)
      • DIN V VDE V 0884-11
      • VIORM = 849 V 峰值
  • 爬电距离增加的宽体 16 引脚 SOIC_IC

产品详情

ADuM4221 是 4 A 隔离式半桥式栅极驱动器,采用 ADI公司的 iCoupler® 技术食先独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221 增加爬电距离d的宽体 16 引脚 SOIC_IC 封装可提供 5700 kV rms 的隔离。这些隔离元件集高速 CMOS 和单片变压器技术于一身,性能比其他选择更优,的如兼备脉冲变压器和栅极驱动器特点。

隔离器采用 2.5 V 到 6.5 V 的逻辑输入电压范围,兼容较低的电压系统。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比, ADuM4221 能在输入和输出之间提供真正的电气隔离。

ADuM4221 内置重叠保护,并允许调整死区时间。死区时间引脚 (DT) 和 GND1 引脚之间的单电阻设置了高侧和低侧输出的次级侧死区时间。

如果 ADuM4221 的内部温度超过热关断温度 (TSD),则内部热关断会将输出设置为低电平。因此,ADuM4121 能够在正或负开关电压下的开关电压范围内,可靠控制绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) /金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 配置,从而实现简单的压摆率控制。

应用

  • 开关式电源
  • 隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器
  • 工业反相器
  • 氮化镓 (GaN)/碳化硅 (SiC) 兼容

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工具及仿真模型

IBIS模型

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