概览
优势和特点
- 峰值输出电流：2 A (<2 Ω RDSON)
- 2.5 V至6.5 V输入
- 4.5 V至35 V输出
- 欠压闭锁(UVLO)：2.5 V VDD1
- VDD2上提供多个UVLO选项
- A级：VDD2上的UVLO：4.4 V（典型值）
- B级：VDD2上的UVLO：7.3 V（典型值）
- C级：VDD2上的UVLO：11.3 V（典型值）
- 精密时序特性
- 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值）
- CMOS输入逻辑电平
- 工作结温最高可达：125°C
- 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs
- 默认低电平输出
- 内部米勒箝位
- 安全和法规认证（申请中）
- UL认证符合UL 1577
- 1分钟5 kV rms，SOIC长封装
- CSA元件验收通知5A
- 符合VDE标准证书（申请中）
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12
- VIORM = 849 V峰值
- 8引脚宽体SOIC封装
产品详情
ADuM4121/ADuM4121-1为2 A隔离式、单通道驱动器，采用ADI公司的iCoupler®技术提供精密隔离。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔离，采用8引脚宽体SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。
ADuM4121/ADuM4121-1采用2.5 V至6.5 V输入电压工作，可与较低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4121/ADuM4121-1的输入与输出之间具有真电气隔离优势。
ADuM4121/ADuM4121-1集成内部米勒箝位，在2 V时可在栅极驱动输出的下降沿上激活，提供具有较低阻抗路径的驱动栅极，以减少米勒电容感应导通的可能性。
有很多选项可用于热关断使能或禁用。因此，ADuM4121/ADuM4121-1可在各种开关电压范围内对绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性进行可靠控制。
应用
- 开关电源
- 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
- 工业逆变器
- 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)功率器件
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
文档
工具及仿真模型
LTspice中提供以下器件型号：
IBIS模型
参考资料
中文系统方案 (2)
安全和法规认证 (1)
产品选型手册 (1)
解决方案通报和手册 (1)
Fundamentals of Isolated Gate Drivers
隔离式栅极驱动器强度——提高频率，降低损耗
从栅极驱动器到功率MOSFET，经过验证的SiC转换器解决方案
控制、驱动、检测高密度SiC/GaN功率转换
iCoupler隔离式GaN半桥逆变器
技术文章 (3)
在线研讨会 (2)
设计资源
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