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特性
- 在接收路径上具有集成功率限制器的高功率发射和接收开关
- 频率范围：6 GHz 至 12 GHz
- 反射式 50 Ω 设计
- 低插入损耗
- TX 到 ANT：8 GHz 至 11 GHz 时为 0.9 dB
- ANT 到 RX：8 GHz 至 11 GHz 时为 1.4 dB
- 高隔离：选择 TX 时 TX 到 RX 的典型值为 55 dB
- 高功率处理能力 (TCASE = 50°C)
- TX 的输入：脉冲 40 dBm，15% 占用比时 >100 ns 脉冲宽度
- ANT 的输入：脉冲 40 dBm，15% 占用比时 >100 ns 脉冲宽度
- RX 平坦泄漏：17 dBm
- 高线性度
- TX 臂的输入为 P0.1dB：41 dBm
- 快速开关时间：50 ns
- 快速响应和恢复时间：<10 ns
- 双电源、无低频杂散
- 正向控制接口：与 CMOS/LVTTL 兼容
- 20 引脚、3 mm × 3mm LGA 封装
- 引脚与 ADRF5144 兼容
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ADRF5141 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SPDT) 开关。ADRF5141 在接收路径上具有集成功率限制器的发射和接收应用中使用。
ADRF5141 的工作频率为 6 GHz 至 12 GHz。采用集成的功率限制器的 RX 臂具有 17 dBm 的平坦泄露，在 8 GHz 至 11 GHz 时可实现 1.4 dB 的低插入损耗。TX 臂在 8 GHz 至 11 GHz 时的插入损耗为 0.9 dB。
ADRF5141 在 +3.3 V 的正电源上消耗 13 μA 的低电流，在 -3.3 V 的负电源上消耗 360 μA 的低电流。该套件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低压晶体管到晶体管逻辑 (LVTTL) 的控件。ADRF5141 无需额外的驱动电路，这使其成为基于氮化镓 (GaN) 和 PIN 二极管的开关的理想替代方案。
ADRF5141 采用符合 RoHS 标准的 20 引脚 3.0 mm x 3.0 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
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ADRF5141
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参考资料
视频
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5141BCCZN |
20-lead LGA (3mm × 3mm)
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| ADRF5141BCCZN-R7 |
20-lead LGA (3mm × 3mm)
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- ADRF5141BCCZN
- 引脚/封装图-中文版
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20-lead LGA (3mm × 3mm)
- 文档
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Material Declaration
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Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
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SamacSys
- ADRF5141BCCZN-R7
- 引脚/封装图-中文版
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20-lead LGA (3mm × 3mm)
- 文档
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Material Declaration
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HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
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SamacSys
软件和型号相关生态系统
评估套件 1
EVAL-ADRF5141
利用限制器评估 ADRF5141 硅发射和接收开关，6 GHz 至 12 GHz
产品详情
ADRF5141 是一款具有利用硅工艺制造的限制器的发射和接收开关。
该用户指南介绍了用于简单评估 ADRF5141 的特性和性能的 ADRF5141-EVALZ 评估板。ADRF5141 的引脚与 ADRF5144 兼容。用户指南中的图 1 显示了评估板的照片。
ADRF5141 数据手册提供了 ADRF5141 的完整规格。使用 ADRF5141-EVALZ 时，应同时参阅 ADRF5141 数据手册和本用户指南。
工具及仿真模型 1
S-参数 1
S-参数