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概览

优势和特点

  • 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 µV p-p（2.5 V输出）
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    • A级：10 ppm/°C（最大值）
    • B级：3 ppm/°C（最大值）
  • 负载调整率：15 ppm/mA
  • 电压调整率：20 ppm/V
  • 宽工作温度范围：7.0 V至18 V
  • 欲了解更多特性，请参考数据手册

ADR435-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

  • 下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
  • 军用温度范围（−55℃至+125℃）
  • 受控制造基线
  • 封装/测试厂
  • 制造厂
  • 增强型产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • V62/11602 DSCC图纸号

产品详情

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器

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产品生命周期 icon-recommended 量产

该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。

参考资料

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    参考电路

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    ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

    Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
    ADR435ARMZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
    ADR435ARMZ-REEL7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
    ADR435ARZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
    ADR435ARZ-REEL7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
    ADR435BRMZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
    ADR435BRMZ-R7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
    ADR435BRZ 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
    ADR435BRZ-REEL7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
    ADR435TRZ-EP 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
    ADR435TRZ-EP-R7 材料声明 质量和可靠性 8-Lead SOIC
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