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ADR435

量产

超低噪声XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力

产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

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概述

  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 µV p-p(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    • A级:10 ppm/°C(最大值)
    • B级:3 ppm/°C(最大值)
  • 负载调整率:15 ppm/mA
  • 电压调整率:20 ppm/V
  • 宽工作温度范围:7.0 V至18 V
  • 欲了解更多特性,请参考数据手册

ADR435-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)

  • 下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
  • 军用温度范围(−55℃至+125℃)
  • 受控制造基线
  • 封装/测试厂
  • 制造厂
  • 增强型产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • V62/11602 DSCC图纸号

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术,可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA,最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚,可以在±0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器

ADR435
超低噪声XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力
ADR430-431-433-434-435 Pin Configuration ADR430-431-433-434-435 Pin Configuration
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