概览
优势和特点
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 µV p-p（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
- A级：10 ppm/°C（最大值）
- B级：3 ppm/°C（最大值）
- 负载调整率：15 ppm/mA
- 电压调整率：20 ppm/V
- 宽工作温度范围：7.0 V至18 V
- 欲了解更多特性，请参考数据手册
ADR435-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）
- 下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
- 军用温度范围（−55℃至+125℃）
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 增强型产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/11602 DSCC图纸号
产品详情
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 光学控制电路
- 精密仪器
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
文档
产品聚焦 (1)
参考电路 (8)
参考资料
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
PCN-PDN信息
样片申请及购买
所列的美国报价单仅供预算参考，指美元报价（规定订量的单价，美国离岸价），如有修改，恕不另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因，国际报价可能不同。对于指定订量报价或交货报价，请联系当地的ADI办事处或授权代理商。对于评估板和套件的报价是指单片价格。
采样：
选择上方“样片”按钮将重定向至第三方ADI样片网站。登录后，所选部件将转移到您在此网站上的购物车。如果您之前从未使用过此网站，请创建一个新帐户。有关此样片网站的任何问题，请联系SampleSupport@analog.com。