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特性
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 µV p-p（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
- A级：10 ppm/°C（最大值）
- B级：3 ppm/°C（最大值）
- 负载调整率：15 ppm/mA
- 电压调整率：20 ppm/V
- 宽工作温度范围：7.0 V至18 V
- 欲了解更多特性，请参考数据手册
ADR435-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）
- 下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
- 军用温度范围（−55℃至+125℃）
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 增强型产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/11602 DSCC图纸号
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ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 光学控制电路
- 精密仪器
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ADR435
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数据手册
3
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435: Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability Data Sheet (Rev.N)
应用笔记
4
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技术文章
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产品技术资料帮助
ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许，也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。
参考资料
数据手册 3
应用笔记 3
技术文章 4
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADR435ARMZ |
8-Lead MSOP
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| ADR435ARMZ-REEL7 |
8-Lead MSOP
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| ADR435ARZ |
8-Lead SOIC
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| ADR435ARZ-REEL7 |
8-Lead SOIC
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| ADR435BRMZ |
8-Lead MSOP
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| ADR435BRMZ-R7 |
8-Lead MSOP
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| ADR435BRZ |
8-Lead SOIC
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| ADR435BRZ-REEL7 |
8-Lead SOIC
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| ADR435TRZ-EP |
8-Lead SOIC
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| ADR435TRZ-EP-R7 |
8-Lead SOIC
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- ADR435ARMZ
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead MSOP
- 文档
-
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Material Declaration
-
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Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435ARMZ-REEL7
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead MSOP
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435ARZ
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead SOIC
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435ARZ-REEL7
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead SOIC
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435BRMZ
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead MSOP
- 文档
-
HTML
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-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435BRMZ-R7
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead MSOP
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435BRZ
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead SOIC
- 文档
-
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-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435BRZ-REEL7
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead SOIC
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435TRZ-EP
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead SOIC
- 文档
-
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Material Declaration
-
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Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADR435TRZ-EP-R7
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead SOIC
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
10月 26, 2015
- 15_0176
Assembly Transfer of Select 8/10L MSOP Products to Amkor Philippines
ADR435ARMZ
量产
ADR435ARMZ-REEL7
量产
ADR435BRMZ
量产
ADR435BRMZ-R7
量产
5月 15, 2012
- 10_0006
Halogen Free Material Change for mini SOIC Products
ADR435ARMZ
量产
ADR435ARMZ-REEL7
量产
7月 20, 2012
- 12_0105
Halogen Free Material Change for Select SOIC Narrow and Wide Body Products Assembled at Amkor
ADR435ARZ
量产
ADR435ARZ-REEL7
量产
ADR435BRZ
量产
ADR435BRZ-REEL7
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根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
10月 26, 2015
- 15_0176
Assembly Transfer of Select 8/10L MSOP Products to Amkor Philippines
ADR435ARMZ
量产
ADR435ARMZ-REEL7
量产
ADR435BRMZ
量产
ADR435BRMZ-R7
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5月 15, 2012
- 10_0006
Halogen Free Material Change for mini SOIC Products
ADR435ARMZ
量产
ADR435ARMZ-REEL7
量产
7月 20, 2012
- 12_0105
Halogen Free Material Change for Select SOIC Narrow and Wide Body Products Assembled at Amkor
ADR435ARZ
量产
ADR435ARZ-REEL7
量产
ADR435BRZ
量产
ADR435BRZ-REEL7
量产
软件和型号相关生态系统
参考电路 5
CN0374
RF至位解决方案可提供6 GHz信号的精密相位和幅度数据
资料
CN0180
用于工业级信号的精密单电源差分ADC驱动器
参考设计
Info:参考设计
CN0306
针对高达 1 kHz 低于奈奎斯特频率输入信号优化的16 位、100 kSPS 低功耗数据采集系统
参考设计
Info:参考设计
CN0240
具有270 V共模抑制性能的双向隔离式高端电流检测模块
CN0261
针对交流性能优化的18 位、250 kSPS 数据采集系统
参考设计
Info:参考设计
