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ADP3331

不推荐用于新设计

高精度、超低静态电流LDO,采用SOT-23封装

产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

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概述

  • 高线路和负载精度:±0.7% (25°C),1.4%(整个温度范围)
  • 超低压差:140 mV(典型值、200 mA)
  • 可以用作高电流 (>1 A) LDO控制器
  • 仅需CO = 0.47 µF便可保持稳定
  • anyCAP = 使用任意类型的电容(包括MLCC)均可保持稳定
  • 限流、限热
  • 低噪声
  • 低关断电流:10 nA(典型值)
  • 电源电压范围:2.6 V至12 V
  • 输出范围:1.5 V至11.75 V
  • 可以在–40°C至+85°C环境温度范围内工作
  • 超小型、散热增强、Chip-on-Lead™、6引脚SOT-23封装

ADP3331属于ADP330x系列精密低压差anyCAP稳压器,输入电压范围为2.9 V至12 V,最大负载电流为200 mA。该器件采用新颖的架构和改良的工艺,比传统LDO性能更出色,比竞争产品更具性能优势,输出电流也更高。它采用专利设计,仅需一个0.47 µF输出电容便可保持稳定。这款器件对输出电容的等效串联电阻(ESR)不敏感,使用任何优质电容均可稳定工作,包括适合空间受限应用的陶瓷(MLCC)型电容。ADP3331在室温条件下可达到±0.7%的出色精度,温度、线路和负载变化的整体精度为±1.4%。200 mA时,其压差仅140 mV(典型值)。该器件还具有安全限流、热过载保护和关断特性。在关断模式下,地电流降至2 µA以下。在小负载情况下,ADP3331具有34 µA(典型值)超低静态电流。该器件采用SOT-23-6封装,并利用ADI公司专有的Chip-on-Lead技术进行散热增强处理,以实现较佳的散热性能。

ADP3331
高精度、超低静态电流LDO,采用SOT-23封装
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ADP7102 推荐用于新设计 20 V、300 mA低噪声CMOS LDO
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