ADMV1139A
推荐用于新设计37GHz 至 50GHz 5G 微波上变频器和下变频器
- 产品模型
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概述
- 在一个芯片中集成上变频器(变送器)、下变频器(接收器)和带有4×乘法器的LO链
- RF频率范围:37 GHz至50 GHz
- 发送器和接收器之间可选片内RF开关端口
- LO输入频率范围:25 GHz至12.05 GHz
- 用于上变频器和下变频器的两种工作模式
- 差分基带I/Q直接变频(基带模式)
- 具有可选片内混合功能的复杂IF操作(IF模式)
- 接收模式下,可编程基带输出共模电压为7 V至1.5V,可通过SPI或物理引脚设置
- 在发送模式下,可编程混频器栅极电压支持0V至1.5V的基带输入共模
- 匹配、50 Ω阻抗、单端RF输入和输出,以及RF开关端口
- 匹配、50 Ω阻抗单端LO输入
- 低相位变化增益控制
- 上变频模式
- 边带抑制和载波馈通优化
- 用于LO馈通校准的包络检波器
- 下变频模式
- 镜像抑制和I/Q不平衡优化
- 基带I/Q直流偏移校正
- 用于接收器增益设置的接收器混频器功率
- LO链特性
- 可变增益支持各种LO输入电平
- 用于LO同步的360°相位控制转换器
- I/Q相位校正
- 快速TDD开关时间(通过外部引脚)
- 用于阵列校准的校准探头
- 通过3线式或4线式SPI可编程,与ADMV4928接口兼容
- 6 mm × 5 mm BGA封装(参见“外形尺寸”部分)
ADMV1139A 是一款绝缘体上硅 (SOI)、微波上变频器和下变频器,针对 5G 无线电设计进行了优化,工作频率范围为 37GHz 至 50GHz。
上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是变频自和/或变频至复中频 (IF) 信号,然后通过可选的片内 90° IF 混合,称为 IF 模式。
另一种模式是从和/或向差分基带同相/正交 (I/Q) 输入和输出的直接转换,称为基带模式。I/Q 基带输出共模电压可在 0.7V 至 1.5V 之间进行编程。
当该套件用作镜像抑制下变频器时,在校准之前,不需要的镜像项通常被抑制到 26dBc。ADMV1139A 提供平方律功率检波器,允许监控下变频器混频器输入端的功率电平。
RF 接收输入、RF 发射输出和本地振荡器 (LO) 接口都是单端的,并且匹配到 50Ω。片内 RF 开关提供了将发射和接收 RF 端口组合在一起的选项,用于时分双工 (TDD) 应用。
串行端口接口 (SPI) 可调整 LO 链 I/Q 相位,以实现优化边带抑制。此外,当不需要载波馈通优化时,SPI 允许关闭输出包络检波器,以降低功耗。
ADMV1139A 上变频器和下变频器采用紧凑的耐热性能增强型 6mm ×6.5mm 球栅阵列 (BGA) 封装。这种 BGA 封装能够从封装顶部对 ADMV1139A 进行散热,以实现最高效的散热。ADMV1139A 的工作温度范围为 −40°C 至 +95°C TC。
应用
参考资料
视频 1
解决方案设计及宣传手册 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADMV1139ABBCZ | 125-ball CSP_BGA (6.0 mm x 6.5 mm x 1.10 mm) |
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