ADMV1139A
推荐用于新设计37GHz 至 50GHz 5G 微波上变频器和下变频器
- 产品模型
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概述
- 在一个芯片中集成上变频器（变送器）、下变频器（接收器）和带有4×乘法器的LO链
- RF频率范围：37 GHz至50 GHz
- 发送器和接收器之间可选片内RF开关端口
- LO输入频率范围：25 GHz至12.05 GHz
- 用于上变频器和下变频器的两种工作模式
- 差分基带I/Q直接变频（基带模式）
- 具有可选片内混合功能的复杂IF操作（IF模式）
- 接收模式下，可编程基带输出共模电压为7 V至1.5V，可通过SPI或物理引脚设置
- 在发送模式下，可编程混频器栅极电压支持0V至1.5V的基带输入共模
- 匹配、50 Ω阻抗、单端RF输入和输出，以及RF开关端口
- 匹配、50 Ω阻抗单端LO输入
- 低相位变化增益控制
- 上变频模式
- 边带抑制和载波馈通优化
- 用于LO馈通校准的包络检波器
- 下变频模式
- 镜像抑制和I/Q不平衡优化
- 基带I/Q直流偏移校正
- 用于接收器增益设置的接收器混频器功率
- LO链特性
- 可变增益支持各种LO输入电平
- 用于LO同步的360°相位控制转换器
- I/Q相位校正
- 快速TDD开关时间（通过外部引脚）
- 用于阵列校准的校准探头
- 通过3线式或4线式SPI可编程，与ADMV4928接口兼容
- 6 mm × 5 mm BGA封装（参见“外形尺寸”部分）
ADMV1139A 是一款绝缘体上硅 (SOI)、微波上变频器和下变频器，针对 5G 无线电设计进行了优化，工作频率范围为 37GHz 至 50GHz。
上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是变频自和/或变频至复中频 (IF) 信号，然后通过可选的片内 90° IF 混合，称为 IF 模式。
另一种模式是从和/或向差分基带同相/正交 (I/Q) 输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q 基带输出共模电压可在 0.7V 至 1.5V 之间进行编程。
当该套件用作镜像抑制下变频器时，在校准之前，不需要的镜像项通常被抑制到 26dBc。ADMV1139A 提供平方律功率检波器，允许监控下变频器混频器输入端的功率电平。
RF 接收输入、RF 发射输出和本地振荡器 (LO) 接口都是单端的，并且匹配到 50Ω。片内 RF 开关提供了将发射和接收 RF 端口组合在一起的选项，用于时分双工 (TDD) 应用。
串行端口接口 (SPI) 可调整 LO 链 I/Q 相位，以实现优化边带抑制。此外，当不需要载波馈通优化时，SPI 允许关闭输出包络检波器，以降低功耗。
ADMV1139A 上变频器和下变频器采用紧凑的耐热性能增强型 6mm ×6.5mm 球栅阵列 (BGA) 封装。这种 BGA 封装能够从封装顶部对 ADMV1139A 进行散热，以实现最高效的散热。ADMV1139A 的工作温度范围为 −40°C 至 +95°C TC。
应用
参考资料
视频 1
产品选型指南 1
解决方案设计及宣传手册 1
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADMV1139ABBCZ | 125-ball CSP_BGA (6.0 mm x 6.5 mm x 1.10 mm) |
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