概览

优势和特点

  • 芯片中集成了上变频器(变送器)、下变频器(接收器)和带有 4× 乘法器的 LO 链
  • 射频频率范围:37 GHz 至 48.2 GHz
  • LO 输入频率范围:7.25 GHz 至 12.05 GHz
  • 具有可选片内混合功能的复杂 IF 操作(IF 模式)
    • 差分基带 I/Q 直接转换(基带模式)
  • 可编程基带 I/Q 共模电压
  • 用于跟踪所需共模的共模输入引脚,电压范围为 0 V 至 1.5 V
  • 变送器和接收器之间具有可选的片内射频开关端口
  • 匹配的 50 Ω 阻抗、单端射频输入和输出以及射频开关端口
  • 匹配的 50 Ω 阻抗、单端 LO 输入
  • 低相位变化与增益控制
  • 上变频模式
    • 边带抑制和载波馈通优化
    • 用于 LO 馈通校准的包络检波器
  • 下变频模式
    • 镜像抑制和 I/Q 不平衡优化
    • 基带 I/Q 直流偏移校正
    • 用于接收器增益设置的接收器混频器功率检波器
  • LO 链特点
    • 可变增益以适应各种 LO 驱动强度值
    • 用于 LO 同步的 360° 移相器
    • 可编程 LO 谐波抑制滤波器
    • I/Q 相位校正
  • 通过外部引脚实现快速 TDD 切换时间
  • 用于阵列校准的校准探头
  • 可通过 3 线或 4 线 SPI 进行编程,兼容ADMV4928ADMV4728 接口
  • 131 球、6 mm × 6.5 mm、BGA 封装

产品详情

ADMV1139是一款绝缘体上硅(SOI)、微波、上变频器和下变频器,它针对在37 GHz至48.2 GHz频率范围内运行的5G无线电设计进行了优化。

上变频器和下变频器均提供两种频率转换模式。一种模式是从和/或向复杂的中频(IF)信号进行转换,然后通过片内90°IF混合,称为IF模式。

另一种模式是从和/或向单端或差分基带同相/正交(I/Q)输入和输出的直接转换,称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0 V和1.5 V之间进行编程。SPI提供正交相位的微调,以优化I/Q解调性能。

当该器件用作镜像抑制下变频器时,不需要的镜像项通常会在校准之前被抑制到26 dBc。ADMV1139提供平方律功率检波器,可监控下变频器混频器输入端的功率电平。

RF接收输入、RF发射输出和本振(LO)接口均为单端,并且匹配至50 Ω。片内RF开关提供将发射和接收RF端口组合在一起的选项,以支持时分双工(TDD)应用。

串行端口接口(SPI)可调整正交相位,以实现优化边带抑制。此外,SPI在不需要载波馈通优化时可关断输出包络检波器,以降低功耗。

ADMV1139上变频器和下变频器采用紧凑的散热增强型6 mm ×6.5 mm球栅阵列(BGA)封装。这种BGA封装能够让ADMV1139从封装顶部进行散热,以实现高效散热。ADMV1139的工作温度范围为−40°C至+95°C(TC)。

 

应用

  • 毫米波5G应用
  • 点对点微波无线电
  • 雷达和电子战系统
  • 仪器仪表和自动测试设备(ATE)
  • 有关完整的数据手册和更多信息,请通过以下方式联系ADI: mmWave5G@analog.com

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    本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

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