概览
优势和特点
- 芯片中集成了上变频器（变送器）、下变频器（接收器）和带有 4× 乘法器的 LO 链
- 射频频率范围：37 GHz 至 48.2 GHz
- LO 输入频率范围：7.25 GHz 至 12.05 GHz
- 具有可选片内混合功能的复杂 IF 操作（IF 模式）
- 差分基带 I/Q 直接转换（基带模式）
- 可编程基带 I/Q 共模电压
- 用于跟踪所需共模的共模输入引脚，电压范围为 0 V 至 1.5 V
- 变送器和接收器之间具有可选的片内射频开关端口
- 匹配的 50 Ω 阻抗、单端射频输入和输出以及射频开关端口
- 匹配的 50 Ω 阻抗、单端 LO 输入
- 低相位变化与增益控制
- 上变频模式
- 边带抑制和载波馈通优化
- 用于 LO 馈通校准的包络检波器
产品详情
ADMV1139是一款绝缘体上硅(SOI)、微波、上变频器和下变频器，它针对在37 GHz至48.2 GHz频率范围内运行的5G无线电设计进行了优化。
上变频器和下变频器均提供两种频率转换模式。一种模式是从和/或向复杂的中频(IF)信号进行转换，然后通过片内90°IF混合，称为IF模式。
另一种模式是从和/或向单端或差分基带同相/正交(I/Q)输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0 V和1.5 V之间进行编程。SPI提供正交相位的微调，以优化I/Q解调性能。
当该器件用作镜像抑制下变频器时，不需要的镜像项通常会在校准之前被抑制到26 dBc。ADMV1139提供平方律功率检波器，可监控下变频器混频器输入端的功率电平。
RF接收输入、RF发射输出和本振(LO)接口均为单端，并且匹配至50 Ω。片内RF开关提供将发射和接收RF端口组合在一起的选项，以支持时分双工(TDD)应用。
串行端口接口(SPI)可调整正交相位，以实现优化边带抑制。此外，SPI在不需要载波馈通优化时可关断输出包络检波器，以降低功耗。
ADMV1139上变频器和下变频器采用紧凑的散热增强型6 mm ×6.5 mm球栅阵列(BGA)封装。这种BGA封装能够让ADMV1139从封装顶部进行散热，以实现高效散热。ADMV1139的工作温度范围为−40°C至+95°C(TC)。
应用
有关完整的数据手册和更多信息，请通过以下方式联系ADI： mmWave5G@analog.com
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
参考资料
产品选型手册 (1)
设计资源
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