概览

优势和特点

  • 工作频率范围:400 MHz~4000 MHz
  • 噪声系数:0.8 dB @ 900 MHz
  • 仅需少量外部器件
  • 内置有源偏置控制电路
  • 内置隔直电容
  • 可调偏置,适合低功耗应用
  • 单电源电压:3 V~5 V
  • 增益:20.8 dB @ 900 MHz
  • OIP3:37.0 dBm @ 900 MHz
  • P1dB :21.8 dBm @ 900 MHz
  • 小尺寸LFCSP封装
  • 提供21.5 dB增益的引脚兼容版本

产品详情

ADL5521是一款高性能GaAs pHEMT低噪声放大器。它提供高增益与低噪声系数,适合于单一下变频IF采样接收机架构与直接下变频接收机。

高集成度的ADL5521内置有源偏置与隔直电容,非常易于使用,并且不会牺牲设计灵活性。

ADL5521仅需少量外部器件即可调谐。这款器件的工作电压范围为3 V~5 V,源电流可以通过外部偏置电阻进行调节,以适应低功耗应用的需求。

ADL5521采用紧凑散热增强型3 mm × 3 mm LFCSP封装,工作温度范围为-40°C~+85°C。

还可提供完全组装的评估板。

Data Sheet, Rev 0, 10/2008

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (2)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADI公司的ADIsimRF设计工具可以计算RF信号链内的大部分重要参数,包括级联增益、噪声系数、IP3、P1dB和总功耗。

设计资源

ADI始终把满足您最高可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

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