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ADL5350: LF to 4 GHz High Linearity Y-Mixer Data Sheet (Rev. A)7/1/2008PDF339 K
概览
优势和特点
- 宽带射频(RF)、中频(IF)和本机振荡器(LO)端口
- 变频损耗:6.8 dB
- 噪声系数:6.5 dB
- 高输入IP3:25 dBm
- 高输入P1dB:19 dBm
- 低LO驱动电平
- 单端设计:无需平衡-非平衡变换器
- 单电源供电:3 V (19 mA)
- 2 mm × 3 mm、8引脚小型LFCSP封装
- 符合RoHS标准
产品详情
ADL5350是一款高线性度、上/下变频混频器,能够在较宽的输入频率范围内工作,非常适合要求高灵敏度和高效抗扰度的蜂窝基站混频器设计。这款器件基于GaAs pHEMT、单端混频器架构,能提供出色的输入线性度和低噪声系数,而无需高功耗本机振荡器(LO)驱动。在850 MHz/900 MHz接收应用中,ADL5350的典型变频损耗仅为6.8 dB。集成的LO放大器只需一个低LO驱动电平,对于大多数应用,其典型值仅为4 dBm。输入IP3典型值大于25 dBm,输入压缩点为19 dBm。该器件具有高输入线性度,因而是适合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗扰度通信系统的出色混频器。在2 GHz时,需要一个略微较高的电源电流才能获得类似的性能。
借助单端宽带RF/IF端口,该器件能够利用简单的外部滤波器网络,针对所需工作频带进行定制。LO至RF隔离基于RF端口滤波器网络的LO抑制。采用更高阶滤波器网络可以实现更大的隔离,详情参见本数据手册的应用信息部分。
ADL5350采用GaAs pHEMT、高性能IC工艺制造,提供3 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C,同时提供评估板。
应用
数据手册,Rev. 0,2/08
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
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RF信号源解决方案2/8/2017
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ADI的核磁共振成像(MRI)解决方案12/22/2016
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RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018PDF3 M
工具及仿真模型
设计工具
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设计资源
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