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ADL5350

推荐用于新设计

低频至4 GHz 高线性度Y型混频器

产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

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概述

  • 宽带射频(RF)、中频(IF)和本机振荡器(LO)端口
  • 变频损耗:6.8 dB
  • 噪声系数:6.5 dB
  • 高输入IP3:25 dBm
  • 高输入P1dB:19 dBm
  • 低LO驱动电平
  • 单端设计:无需平衡-非平衡变换器
  • 单电源供电:3 V (19 mA)
  • 2 mm × 3 mm、8引脚小型LFCSP封装
  • 符合RoHS标准

ADL5350是一款高线性度、上/下变频混频器,能够在较宽的输入频率范围内工作,非常适合要求高灵敏度和高效抗扰度的蜂窝基站混频器设计。这款器件基于GaAs pHEMT、单端混频器架构,能提供出色的输入线性度和低噪声系数,而无需高功耗本机振荡器(LO)驱动。

在850 MHz/900 MHz接收应用中,ADL5350的典型变频损耗仅为6.8 dB。集成的LO放大器只需一个低LO驱动电平,对于大多数应用,其典型值仅为4 dBm。输入IP3典型值大于25 dBm,输入压缩点为19 dBm。该器件具有高输入线性度,因而是适合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗扰度通信系统的出色混频器。在2 GHz时,需要一个略微较高的电源电流才能获得类似的性能。

借助单端宽带RF/IF端口,该器件能够利用简单的外部滤波器网络,针对所需工作频带进行定制。LO至RF隔离基于RF端口滤波器网络的LO抑制。采用更高阶滤波器网络可以实现更大的隔离,详情参见本数据手册的应用信息部分。

ADL5350采用GaAs pHEMT、高性能IC工艺制造,提供3 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C,同时提供评估板。

应用

  • 蜂窝基站
  • 点对点无线电链路
  • RF仪器仪表
  • 数据手册,Rev. 0,2/08

    ADL5350
    低频至4 GHz 高线性度Y型混频器
    ADL5350 Functional Block Diagram ADL5350 Pin Configuration
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    硬件生态系统

    部分模型 产品周期 描述
    低噪声放大器(LNA)和功率放大器 4
    ADL5531 量产 20 MHz 至500 MHz 中频增益模块
    ADL5534 推荐用于新设计 20 MHz 至500 MHz 中频放大器
    ADL5535 推荐用于新设计 20 MHz 至1.0 GHz 中频增益模块
    ADL5536 推荐用于新设计 20 MHz至1.0 GHz中频增益模块
    锁相环(PLL)频率合成器 3
    ADF4351 推荐用于新设计 集成VCO的宽带频率合成器
    ADF4106 量产 6 GHz整数N分频PLL
    ADF4153A 推荐用于新设计 小数N分频频率合成器
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    ADIsimRF

    ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

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    ADIsimPLL™

    ADIsimPLL可以对ADI公司最新的高性能PLL产品进行快速、可靠的评估。它是目前最全面的PLL频率合成器设计和仿真工具,可实现所有对PLL性能有显著影响的重要非线性效应仿真。ADIsimPLL可以免去设计过程中的至少一项重复劳动,从而加快上市速度。

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    EVAL-ADL5350
    ADL5350 评估板

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