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特性
- 故障和过压保护最高达±40 V
- 断电时信号路径开路
- 通电时信号路径电阻为导通电阻RON
- 最大额定电源电压：44 V
- 低导通电阻：60 Ω（典型值）
- 最大路径漏电流：±1 nA (+25°C)
- 低导通电阻匹配：5 Ω（最大值）
- 低功耗：0.8 μW（典型值）
- 防闩锁结构
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ADG467是一款八通道保护器。 通道保护器与信号路径串联放置。 无论电源是否存在，通道保护器都可以保护敏感元器件不受信号路径中电压瞬变的影响。 因此，通道保护器非常适合在无法保证电源时序始终正确的应用中保护模拟输入（例如热插拔机架系统）。
每个通道保护器均独立工作，由一个N沟道MOSFET、一个P沟道MOSFET和一个N沟道MOSFET串联连接组成。 通道保护器在正常工作时的表现与串联电阻相同，即(VSS + 1.5 V) < VIN < (VDD − 1.5 V)。 当某个通道的模拟输入超过电源电压（包括VDD和VSS = 0 V）时，这些MOSFET之一即会断开，同时输出箝位至VSS + 1.5 V或VDD − 1.5 V。发生过压或失电时，电路与信号源均会受到保护。 通道保护器可以承受−40 V至+40 V的过压输入。
ADG467既可以采用双极性电源供电，也可以采用单极性电源供电。 电源接通时，通道开启（常态）；电源断开时，通道关断。 当电源为±15 V时，ADG467的导通电阻典型值为62 Ω，漏电流最大值为±1 nA。 当电源断开时，输入漏电流典型值约为±0.5 nA。
ADG467采用18引脚SOIC和20引脚SSOP封装。
产品特色
- 故障保护。 ADG467可以承受−40 V至+40 V的连续过压输入。因电源关闭或向ADG467施加过压而导致发生故障时，输出会箝位。 电源关闭时，电流会限制到微安级。
- 低功耗。
- 低导通电阻RON： 62 Ω（典型值）。
- 沟槽隔离
- 防闩锁结构。 电介质沟道将P沟道与N沟道MOSFET分开，避免了闩锁现象。
应用
- 自动测试设备
- 灵敏的测量设备
- 热插拔机架系统
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ADG467
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参考资料
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADG467BRSZ |
20-Lead SSOP
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| ADG467BRSZ-REEL |
20-Lead SSOP
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| ADG467BRZ |
18-Lead SOIC (Wide)
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| ADG467BRZ-REEL |
18-Lead SOIC (Wide)
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| ADG467BRZ-REEL7 |
18-Lead SOIC (Wide)
|
|
- ADG467BRSZ
- 引脚/封装图-中文版
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20-Lead SSOP
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20-Lead SSOP
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18-Lead SOIC (Wide)
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产品型号
产品生命周期
PCN
8月 25, 2010
- 10_0065
Halogen Free Material Change for SSOP Products at Carsem
ADG467BRSZ
量产
ADG467BRSZ-REEL
量产
3月 15, 2010
- 10_0052
Re-design and Wafer Fabrication transfer of the ADG467
ADG467BRSZ
量产
ADG467BRSZ-REEL
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ADG467BRZ
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ADG467BRZ-REEL
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ADG467BRZ-REEL7
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9月 9, 2022
- 22_0148
Assembly Site Transfer for 18L SOIC_W Products
ADG467BRZ
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ADG467BRZ-REEL
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ADG467BRZ-REEL7
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2月 7, 2011
- 10_0003
Halogen Free Material Change for SOIC Wide Body Products Assembled at Amkor
ADG467BRZ
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8月 25, 2010
- 10_0065
Halogen Free Material Change for SSOP Products at Carsem
3月 15, 2010
- 10_0052
Re-design and Wafer Fabrication transfer of the ADG467
ADG467BRSZ
量产
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Halogen Free Material Change for SOIC Wide Body Products Assembled at Amkor
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