HMC951B

推荐用于新设计

I/Q下变频器，采用SMT封装，5.6 - 8.6 GHz

产品模型: 2

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概述

转换增益： 13 dB
镜像抑制： 24 dB
LO至RF隔离： 48 dB
噪声系数： 2 dB

输入IP3： 1 dBm
24引脚4x4mm QFN封装： 16mm²

HMC951B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。该器件在整个频段范围内提供13 dB的小信号转换增益、2 dB的噪声系数和24 dB的镜像抑制性能。 HMC951B采用LNA，后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。

它具有I和Q混频器输出，所需外部90混合型器件用于选择所需边带。 HMC951B为混合型镜像抑制下变频器组件的小型替代器件，与表贴制造技术兼容

应用

点对点和点对多点无线电
军用雷达、EW和ELINT
卫星通信

产品模型: 2

参考资料

数据手册 1

HMC951BLP4E: GaAs MMIC I/Q Downconverter 5.6 - 8.6 GHz Data Sheet 08/10/2015

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC951BLP4E	24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys
HMC951BLP4ETR	24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

6月 6, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products
		PCN22_0048_Form Material_Report Qualification Results Summary Detailed Change Description
HMC951BLP4E	量产
HMC951BLP4ETR	量产
6月 28, 2016 - 16_0101 HMC951B Data Sheet Correction
		PCN16_0101_Form Material_Report
HMC951BLP4E	量产
HMC951BLP4ETR	量产