HMC819

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GaAs MMIC I/Q上变频器,采用SMT封装,17.7 - 23.6 GHz

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概述

  • 高转换增益: 15 dB
  • 出色的边带抑制: -35 dBc
  • 2 LO至RF隔离: 12 dB
  • 高输出IP3: +35 dBm
  • 32引脚5x5mm SMT封装: 25mm²

HMC819LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB小信号转换增益,边带抑制为-35 dBc。 HMC819LC5采用一个驱动器放大器,并在其前面放置一个I/Q混频器,LO由x2有源倍频器驱动。 它提供IF1和IF2混频器输入,通过外部90°混合型器件选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。

HMC819LC5为混合型单边带上变频器组件的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。

应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 军用雷达、EW和ELINT
  • 卫星通信
  • 传感器

HMC819
GaAs MMIC I/Q上变频器,采用SMT封装,17.7 - 23.6 GHz
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