概览
优势和特点
- 4 A峰值电流(<2 Ω RDSON_x)
- 逻辑输入电压：2.5 V至6.5 V
- 输出电源电压：4.5 V至35 V
- UVLO VDD1趋正阈值：2.5 V（最大值）
- 用于VDDA和VDDB趋正阈值的多个UVLO选项
- A级：4.5 V（最大值）
- B级：7.5 V（最大值）
- C级：11.6 V（最大值）
- 精密时序特性
- 传输延迟：44 ns（最大值）
- 可调的死区时间和双输入(ADuM4221)
- 可调的死区时间和单输入(ADuM4221-1)
- 无死区时间控制和双输入(ADuM4221-2)
- CMOS输入逻辑电平
- 高共模瞬变抗扰度：150 kV/µs
- 工作结温最高可达：125°C
- 默认低电平输出
- 安全和法规认证（申请中）
- UL认证(UL 1577)
- 5700 V rms持续1分钟
- CSA元件验收通知5A
- VDE合格证书
- DIN V VDE V 0884-11: VIORM = 849 V 峰值
- UL认证(UL 1577)
- 增强爬电距离宽体、16引脚SOIC_IC封装
产品详情
The ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 均为4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用ADI公司的iCoupler,sup>®
隔离器采用2.5 V至6.5 V逻辑输入电压工作，可与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的输入与各输出之间具有真电气隔离优势。
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均内置有重叠保护，且允许进行死区时间调节。死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻在高端和低端输出之间的次级侧设置死区时间。
如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度，内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。
应用
- 开关电源
- 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
- 工业逆变器
- 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容
1受美国专利5,952,849、6,873,065、7,075,239保护。其他专利正在申请中。
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
工具及仿真模型
LTspice中提供以下器件型号：
IBIS模型
参考资料
Fundamentals of Isolated Gate Drivers
隔离式栅极驱动器强度——提高频率，降低损耗
从栅极驱动器到功率MOSFET，经过验证的SiC转换器解决方案
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
样片申请及购买
所列的美国报价单仅供预算参考，指美元报价（规定订量的单价，美国离岸价），如有修改，恕不另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因，国际报价可能不同。对于指定订量报价或交货报价，请联系当地的ADI办事处或授权代理商。对于评估板和套件的报价是指单片价格。
采样：
选择上方“样片”按钮将重定向至第三方ADI样片网站。登录后，所选部件将转移到您在此网站上的购物车。如果您之前从未使用过此网站，请创建一个新帐户。有关此样片网站的任何问题，请联系SampleSupport@analog.com。
购买评估板
所示报价为单片价格
以上块评估板您均可以已通过 analog.com 获取。如超过单片的数量，请通过代理商进行购买。
所示报价为单片价格。所列的美国报价单仅供预算参考，指美元报价（每片美国离岸价），如有修改恕不另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因，国际报价可能不同。