概览
优势和特点
- 4 A峰值电流(<2 Ω RDSON_x)
- 逻辑输入电压:2.5 V至6.5 V
- 输出电源电压:4.5 V至35 V
- UVLO VDD1趋正阈值:2.5 V(最大值)
- 用于VDDA和VDDB趋正阈值的多个UVLO选项
- A级:4.5 V(最大值)
- B级:7.5 V(最大值)
- C级:11.6 V(最大值)
- 精密时序特性
- 传输延迟:44 ns(最大值)
- 可调的死区时间和双输入(ADuM4221)
- 可调的死区时间和单输入(ADuM4221-1)
- 无死区时间控制和双输入(ADuM4221-2)
- CMOS输入逻辑电平
- 高共模瞬变抗扰度:150 kV/µs
- 工作结温最高可达:125°C
- 默认低电平输出
- 安全和法规认证(申请中)
- UL认证(UL 1577)
- 5700 V rms持续1分钟
- CSA元件验收通知5A
- VDE合格证书
- DIN V VDE V 0884-11: VIORM = 849 V 峰值
- UL认证(UL 1577)
- 增强爬电距离宽体、16引脚SOIC_IC封装
产品详情
The ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 均为4 A隔离式半桥栅极驱动器,采用ADI公司的iCoupler,sup>®
隔离器采用2.5 V至6.5 V逻辑输入电压工作,可与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的输入与各输出之间具有真电气隔离优势。
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均内置有重叠保护,且允许进行死区时间调节。死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻在高端和低端输出之间的次级侧设置死区时间。
如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度,内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此,ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。
应用
- 开关电源
- 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
- 工业逆变器
- 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容
1受美国专利5,952,849、6,873,065、7,075,239保护。其他专利正在申请中。
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
工具及仿真模型

LTspice中提供以下器件型号:
IBIS模型
参考资料
设计资源
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