概览
优势和特点
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率 SPDT 开关
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- 增益
- 高增益模式：4.6 GHz 时为 33 dB（典型值）
- 低增益模式：4.6 GHz 时为 18 dB（典型值）
- 低噪声指数
- 高增益模式：4.6 GHz 时为 1.6 dB（典型值）
- 低增益模式：4.6 GHz 时为 1.6 dB（典型值）
- 高通道间隔离
- RxOUT-ChA 和 RxOUT-ChB 之间：45 dB（典型值）
- TERM-ChA 和 TERM-ChB 之间：53 dB（典型值）
- 低插入损耗：4.6 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 整个生命周期
- LTE 平均功率 (9 dB PAR)：40 dBm
- 单一事件（运行时间 <10 秒）
- LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
- 高 OIP3：31 dBm（典型值）
- 关断模式和低增益模式（针对 LNA）
- 低电源电流
- 高增益模式：5 V 时为 86 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
- 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
- 正逻辑控制
- 40 引脚 6 mm × 6 mm LFCSP 封装
产品详情
ADRF5547 是一款双通道集成式 RF 前端多芯片模块，专为工作频率为 3.7 GHz 至 5.3 GHz 的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5547 采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。
在高增益模式下，级联两级 LNA 和开关提供 1.6 dB 的低噪声指数和 33 dB 的高增益（频率为 4.6 GHz）以及 31 dBm（典型值）的输出 3 阶交调点 (OIP3)。
在低增益模式下，两级 LNA 的一级处于旁路状态，在 36 mA 的较低电流下提供 18 dB 的增益。在关断模式下，LNA 将关闭，器件流耗为 12 mA。
在发射过程中，当 RF 输入连接到端电极引脚（TERM-ChA 或 TERM-ChB）时，该开关提供 0.50 dB 的低插入损耗，并在整个生命周期内具有 40 dBm 的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB 峰值/平均值比 (PAR)）处理能力，而在单一事件（<10 秒）LNA 保护模式下为 43 dBm。
该器件采用符合 RoHS 标准的紧凑型 40 引脚 6 mm × 6 mm LFCSP 封装。
应用
- 无线基础设施
- TDD 大规模多输入和多输出 (MIMO) 以及有源天线系统
- 基于 TDD 的通信系统
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
工具及仿真模型
S参数
参考资料
产品选型手册 (1)
视频 (1)
ADI公司适用于5G的硅(SOI) RF前端解决方案
设计资源
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PCN-PDN信息
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