Quantic X-Microwave

ADI RF和微波元件作为Quantic X-Microwave的插入式X-MWblocks®提供。

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HMC637ALP5E

量产

GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz

产品技术资料帮助

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概述

  • P1dB输出功率:29 dBm
  • 增益:13 dB
  • 输出IP3:44 dBm
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2
  • 扩展工业温度范围:-55℃至+105°C

HMC637ALP5E 是一款砷化镓 (GaAs) 、单芯片微波集成电路 (MMIC) 、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 分布式功率放大器,工作频率范围为 0.1 GHz 至 6 GHz 。该放大器提供 13 dB 增益、 44 dBm 输出三阶交调截点 (IP3) 和 29 dBm 输出功率( 1 dB 增益压缩),功耗为 400 mA (采用 12 V 电源)。 HMC637ALP5E 在 100 MHz 至 6 GHz 范围内的增益平坦度为 ±0.75 dB ,因而非常适合电子战 (EW) 、电子对抗 (ECM) 、雷达和测试设备应用。 HMC637ALP5E 放大器射频 (RF) I/O 内部匹配至 50 Ω ,且 5 mm × 5 mm 引脚架构芯片级封装 (LFCSP) 与大规模表贴技术 (SMT) 组装设备兼容。

应用

  • 电信基础设施
  • 微波无线电
  • 甚小孔径终端 (VSAT)
  • 军事与太空
  • 测试仪器仪表
  • 光纤产品

HMC637ALP5E
GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz
HMC637A Functional Block Diagram HMC637A Pin Configuration HMC637A Circuit Diagram
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Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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