製品概要
機能と利点
- P1dB output power: +32 dBm
- Psat output power: +34 dBm
- High Gain: 15 dB
- Output IP3: 42 dBm
- Supply Voltage: Vdd = +15V @ 500 mA
- 50 Ohm Matched Input/Output
- 32 Lead 5x5 mm LFCSP Package: 25 mm2
製品概要
The HMC998APM5E is a GaAs pHEMT MMIC Distributed Power Amplifier which operates from DC to 22 GHz. The amplifier provides +15 dB of gain, +42 dBm output IP3, and +32 dBm of output power at 1dB gain compression while requiring only 500mA from a +15V supply. The HMC998APM5E exhibits a slightly positive gain slope from 3 to 17 GHz making it ideal for military and space and test equipment applications. The HMC998APM5E amplifier I/Os are internally matched to 50 Ohms and is housed in a RoHS compliant, 5x5 mm leadless QFN surface mount package.
APPLICATIONS
- Test instumentation
- Military & space
- Fiber optics
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
評価キット (1)
参考資料
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC998APM5E S-Parameters
6.83 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC998APM5E | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | |
| HMC998APM5ETR | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | |
| HMC998APM5ETR-R5 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
PCN-PDN情報
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サポート ＆ ディスカッション
HMC998APM5E Discussions
RE: HMC998APM5E Thermal resistance channel to package top
11 週間前 RF and Microwave
サンプル＆購入
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