ADMV7810
新規設計に推奨パワー・ディテクタ付き 1 W の E バンド・パワー・アンプ、81 GHz ～ 86 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格：$148.29
製品の詳細
- ゲイン: 20 dB（代表値）
- 1 dB 圧縮ポイントを実現する出力電力: 28 dBm（代表値）
- 飽和出力電力: 29 dBm（代表値）
- 出力 3 次インターセプト: 33 dBm（代表値）
- 入力リターン・ロス: 12 dB（代表値）
- 出力リターン・ロス: 20 dB（代表値）
- DC 電源: 4 V/800 mA
- 外部マッチング不要
- ダイ・サイズ: 2.999 mm × 3.799 mm × 0.05 mm
ADMV7810 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素（GaAs）擬似格子整合型高電子移動度転送（pHEMT）モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の中出力パワー・アンプで、温度補償されたオンチップ・パワー・ディテクタを内蔵し、動作範囲は 81 GHz ～ 86 GHz です。ADMV7810 は、4 V 電源電圧から 18% の電力付加効率で 20 dB のゲイン、1 dB 圧縮ポイントでの 28 dBm の出力電力、29 dBm の飽和出力電力を提供します。ADMV7810 は直線性が優れており、E バンド通信および大容量のワイヤレス・バックホール無線システム用に最適化されています。アンプの構成と高ゲインにより、このデバイスはアンテナの前の最終段の信号増幅に最適です。すべてのデータは、3 mil 幅 × 0.5 mil 厚 × 7 mil 長のリボンを各ポートに使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。ADMV7810 は 40 パッド・ベア・ダイ（CHIP）を採用し、−55°C ～ +85°C の周囲温度範囲で動作します。
アプリケーション
- E バンド通信システム
- 大容量ワイヤレス・バックホール無線システム
- 試験および計測
ドキュメント
データシート 2
アプリケーション・ノート 3
技術記事 1
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADMV7810-SX | CHIPS OR DIE | ||
| ADMV7810CHIPS | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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ドライバ／ソフトウェアをリクエストツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
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ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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