製品概要
機能と利点
- ゲイン: 20 dB（代表値）
- 1 dB 圧縮ポイントを実現する出力電力: 28 dBm（代表値）
- 飽和出力電力: 29 dBm（代表値）
- 出力 3 次インターセプト: 33 dBm（代表値）
- 入力リターン・ロス: 12 dB（代表値）
- 出力リターン・ロス: 20 dB（代表値）
- DC 電源: 4 V/800 mA
- 外部マッチング不要
- ダイ・サイズ: 2.999 mm × 3.799 mm × 0.05 mm
製品概要
ADMV7810 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素（GaAs）擬似格子整合型高電子移動度転送（pHEMT）モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の中出力パワー・アンプで、温度補償されたオンチップ・パワー・ディテクタを内蔵し、動作範囲は 81 GHz ～ 86 GHz です。ADMV7810 は、4 V 電源電圧から 18% の電力付加効率で 20 dB のゲイン、1 dB 圧縮ポイントでの 28 dBm の出力電力、29 dBm の飽和出力電力を提供します。ADMV7810 は直線性が優れており、E バンド通信および大容量のワイヤレス・バックホール無線システム用に最適化されています。アンプの構成と高ゲインにより、このデバイスはアンテナの前の最終段の信号増幅に最適です。すべてのデータは、3 mil 幅 × 0.5 mil 厚 × 7 mil 長のリボンを各ポートに使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。ADMV7810 は 40 パッド・ベア・ダイ（CHIP）を採用し、−55°C ～ +85°C の周囲温度範囲で動作します。
アプリケーション
- E バンド通信システム
- 大容量ワイヤレス・バックホール無線システム
- 試験および計測
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
参考資料
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
ADMV7710_ADMV7810 S-Parameters
76.49 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| ADMV7810-SX | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ADMV7810CHIPS | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
サポート ＆ ディスカッション
ADMV7810 Discussions
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