Quantic X-Microwave

Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
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HMC998APM5E

製造中

GaAs pHEMT MMIC 2Wパワー・アンプ、DC～22GHz

データシート (Rev. v04.0121) 製品セレクション・テーブル
利用上の注意

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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.J）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
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製品情報

  • P1dB出力電力：+32dBm
  • Psat出力電力：+34dBm
  • 高ゲイン：15dB
  • 出力IP3：42dBm
  • 電源電圧：Vdd = +15V @ 500mA
  • 50Ωに整合した入出力
  • 32ピン5mm x 5mm LFCSPパッケージ：25mm2

HMC998APM5EはGaAs pHEMT MMIC分布型パワー・アンプで、動作範囲はDC～22GHzです。このアンプは、+15dBのゲイン、+42dBmの出力IP3、1dBゲイン圧縮ポイントでの+32dBmの出力電力を提供する一方、必要な電流は+15V電源から500mAで済みます。HMC998APM5Eは3～17GHzのゲイン・スロープがわずかに正であるため、航空宇宙＆防衛や試験装置などのアプリケーションに最適です。HMC998APM5EアンプのI/Oは内部で50オームにマッチングされており、RoHS準拠の5 x 5mmリードレスQFN表面実装パッケージに収められています。

アプリケーション

  • 試験用計測器
  • 防衛および宇宙
  • 光ファイバ

この製品にはより新しいバージョンがあります

ADPA9007 新規設計に推奨

DC～28GHz、GaAs、pHEMT、2Wパワー・アンプ

HMC998APM5E
GaAs pHEMT MMIC 2Wパワー・アンプ、DC～22GHz
HMC998APM5E Functional Block Diagram
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ハードウェア・エコシステム

製品モデル 製品ライフサイクル 詳細
ADPA9007
新規設計に推奨 DC～28GHz、GaAs、pHEMT、2Wパワー・アンプ
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ツールおよびシミュレーション

ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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Sパラメータ 1

Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-HMC998APM5E

ガリウム・砒素（GaAs）、pHEMT、MMICパワー・アンプ（DC～22GHz）のEV2HMC998APM5評価用ボード

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機能と利点

  • ヒート・スプレッダおよび広帯域表面実装バイアス・ティー回路付き2層Rogers 4350B評価用ボード
  • エンド起動、2.92mm RFコネクタ
  • スルー・キャリブレーション・パス

製品詳細

EV2HMC998APM5は、アルミ製ヒート・スプレッダに取り付けられた、厚さ10ミルのRogers 4350B、銅被覆を使用した2層のプリント回路基板（PCB）で構成されています。ヒート・スプレッダは、このデバイスの熱を効率的に放散すると共に、PCBを機械的に支持します。ヒート・スプレッダには取り付け穴があり、ヒート・シンクに取り付けて温度管理を改善できます。RFINポートとRFOUTポートには2.9mmメス同軸コネクタが装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを示します。

EV2HMC998APM5には、EV1HMC998APM5との重要な違いが1つあります。EV1HMC998APM5を動作させるには、RFOUTポートにコネクタ付きバイアス・ティーを外付けする必要がありますが（詳細については、HMC998APM5Eのデータシートを参照）、EV2HMC998APM5はオンボード表面実装のバイアス・ティー回路を備えています。EV2HMC998APM5ではこの回路を使用して、ネットワーク・アナライザ、スペクトラム・アナライザなどのRF試験装置に直接接続できます。このオンボード表面実装バイアス・ティー回路の最大動作周波数は約22GHzです（図3参照）。

EV2HMC998APM5には、HMC998APM5Eの全動作温度範囲での使用に適したコンポーネントが搭載されています。ボード・パターン損失を補正するため、J5コネクタとJ6コネクタの間にスルー・キャリブレーション・パス（THRU-CAL）が用意されています。スルー・キャリブレーション・パスを使用するには、J5およびJ6に2.92mmのRFコネクタを差し込む必要があります。スルー・キャリブレーション・パスの性能については、図4と表2を参照してください。電源電圧、グラウンド電圧、ゲート制御電圧、ディテクタ出力電圧には、2つの4ピン・ヘッダ（J3およびJ4）を通じてアクセスします（表1を参照）。

RFパターンは、50Ωで接地されたコプレーナ導波路です。パッケージのグラウンド・ピンと露出パドルは、グラウンド・プレーンに直接接続します。複数のビアを使用して上部と下部のグラウンド・プレーンを接続し、特にグラウンド・パドル直下の領域に焦点を当てて、ヒート・スプレッダへの適切な電気伝導と熱伝導を確保しています。

EV2HMC998APM5のデカップリング・コンデンサは、この回路の性能測定に使用される構成を表しています（詳細はAN-2061参照）。ACG2、ACG3/ACG4、VGG1、VGG2の各ピンに接続されているコンデンサの数を減らすことができますが、その数はシステムによって異なります。コンデンサの数を減らす場合は、最初は、HMC998APM5Eから最も遠い位置にある最大のコンデンサを取り除くことを推奨します。

HMC998APM5Eの詳細については、HMC998APM5Eのデータシートを参照してください。EV2HMC998APM5を使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてHMC998APM5Eのデータシートも参照してください。
EVAL-HMC998APM5E
ガリウム・砒素（GaAs）、pHEMT、MMICパワー・アンプ（DC～22GHz）のEV2HMC998APM5評価用ボード
HMC998APM5 Evaluation Board - Angle View HMC998APM5 Evaluation Board - Top View HMC998APM5 Evaluation Board - Bottom View

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