MAX5055

不推荐用于新设计

4A、20ns、双MOSFET驱动器

4A、20ns、双MOSFET驱动器，采用3mm x 3mm、增强散热的TDFN封装

数据手册 (Rev. 3)
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概述

  • 4V至15V单电源供电
  • 峰值为4A的供出/吸收驱动电流
  • 20ns (典型值)传输延迟
  • 延迟在反相与同相输入之间达到匹配
  • 传输延迟在两个通道之间达到匹配
  • VDD/2 CMOS逻辑输入(MAX5054AATA)
  • TTL逻辑输入(MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057)
  • 0.1 x VDD (CMOS)和0.3V (TTL)的逻辑输入滞回
  • 高达+18V的逻辑输入(无论VDD电压为何值)
  • 低输入电容：2.5pF (典型值)
  • 40µA (典型值)静态电流
  • -40°C至+125°C的工作温度范围
  • 8引脚TDFN和SO封装

MAX5054–MAX5057双、高速MOSFET驱动器可供出和吸收高达4A的峰值电流。这些器件具有20ns的快速传输延迟以及驱动5000pF容性负载时20ns的上升和下降时间。传输延迟降到最低，并且在反相和同相输入之间以及两个通道之间达到匹配。高的供出和吸收峰值电流、低传输延迟和高热效封装使得MAX5054–MAX5057十分适合高频和大功率电路。

MAX5054–MAX5057采用4V至15V单电源供电，不进行开关操作时仅消耗40µA (典型值)电源电流。这些器件具有内部逻辑电路，在输出状态改变时用于防止发生击穿，从而将高开关频率时的工作电流降到最低。无论VDD电压为何值，逻辑输入都受到保护，并可耐受高达+18V的尖峰电压。MAX5054A是其中唯一具有CMOS输入逻辑电平的版本， MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057具有TTL输入逻辑电平。

MAX5055–MAX5057驱动器提供了双路反相、双路同相和反相/同相输入等组合形式。MAX5054每个驱动器都具有反相和同相输入，灵活性更强。这些器件采用8引脚的TDFN (3mm x 3mm)、标准SO和高热效的SO封装，它们工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围内。

应用

  • DC-DC转换器
  • 电机控制
  • 功率MOSFET开关
  • 电源模块
  • 开关模式电源
MAX5055
4A、20ns、双MOSFET驱动器
MAX5054、MAX5055、MAX5056、MAX5057：典型工作电路
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部分模型 产品周期 描述
MOSFET和栅极驱动器 2
MAX5048
量产 7.6A、12ns、SOT23/TDFN MOSFET驱动器
MAX5078
量产 4A、20ns、MOSFET驱动器
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