MAX22702D
推荐新设计使用超高CMTI隔离栅极驱动器
具有高CMTI的集成隔离,提高SiC栅极驱动器的可靠性
- 产品模型
- 4
产品详情
- 匹配传输延迟
- 20ns最小脉宽
- 35Ns传输延迟,室温时
- 2ns器件间传输延迟匹配,室温时
- 5ns器件间传输延迟匹配 @ -40°C至+125°C温度范围
- 高CMTI (300kV/μs,典型值)
- 可靠电隔离
- 可承受长达60s 的3kVRMS (VISO)
- 连续承受848VRMS (VIOWM)
- GNDA和VSSB之间可承受±5kV的浪涌,1.2/50μs波形
- 高精度UVLO
- 多种选项,支持较宽应用范围
- 3种输出选项:GNDB、米勒钳位、可调节UVLO
- 2种输入配置:带使能的单端(E版本)或差分(D)版本
MAX22700–MAX22702为单通道隔离栅极驱动器家族,具有300kV/μs (典型值)超高共模瞬态抗扰性(CMTI)。器件设计用于驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)晶体管。全部器件均采用Maxim专有的工艺技术,具备集成数字电隔离功能。器件具有输出选项的其他版本,包括栅极驱动器共用引脚GNDB (MAX22700)、米勒钳位(MAX22701)和可调节欠压锁定UVLO (MAX22702)。此外,其他版本采用差分(D版本)或单端(E版本)输入。器件在不同电源域的电路之间传输数字信号。该家族中的所有器件均具有隔离功能,可承受长达60秒的额定3kVRMS电压。
所有器件支持最小脉宽20ns,最大脉宽失真2ns。器件之间传输延迟匹配在2ns (最大值) @ +25°C环境温度,以及5ns (最大值) @ -40°C至+125°C工作温度范围。该特性降低功率管的死区时间,提高总体效率。
MAX22700和MAX22702用于低边驱动器时的最大RDSON为1.25Ω,MAX22701用于低驱动时的RDSON为2.5Ω。所有器件用于高边驱动器时的最大RDSON为4.5Ω。相关的后缀,请参见定购信息。
MAX22700–MAX22702可用于驱动具有不同输出栅极驱动电路和B边电源电压的SiC(碳化硅)或GaN (氮化镓)FET。更多详细信息请参见典型工作电路。
MAX22700–MAX22702家族中的所有器件均采用8引脚、窄体、SOIC封装,爬电距离和间隙为4mm。封装材料的最小相对漏电起痕指数(CTI)仅为600V,使其具有一流的爬电距离指标。所有器件的额定工作环境温度为-40°C至+125°C。
设计方案:选择一个高CMTI门驱动器,它可以缩短SiC开关的静止时间 ›应用
- 用于逆变器的隔离栅极驱动器
- 电机驱动
- UPS和PV逆变器
参考资料
数据手册 1
技术文章 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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MAX22702DASA+ | 8-SOIC_N-150_MIL | ||
MAX22702DASA+T | 8-SOIC_N-150_MIL | ||
MAX22702DAWA+ | 8-SOIC_W-300_MIL | ||
MAX22702DAWA+T | 8-SOIC_W-300_MIL |
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