概览
优势和特点
- 无需外部组件
- 内部电压三倍器产生用于逻辑电平 FET 的高端栅极驱动电压
- 超低功率：
- 每个驱动器 10µA 的 ON 电流 (LTC1982)
- 20µA ON 电流 (LTC1981)
- <1µA 停机电流
- VCC 范围：1.8V 至 5V
- 在停机期间栅极驱动输出被驱动至地
- 栅极驱动输出在内部被箝位至 7.5V (最大值)
- “栅极驱动就绪” 输出 (LTC1981)
- 超小型应用电路
- 5 引脚 SOT-23 封装 (LTC1981)
- 6 引脚 SOT-23 封装 (LTC1982)
产品详情
LTC®1981 / LTC1982 是低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器。一个内部电压三倍器使得无需采用任何外部组件就能驱动栅极。内部调节电路允许静态电流在栅极充电完成时减小至每个驱动器 10µA (对于 LTC1981 为 20µA)。
低静态电流和低停机电流 (低于 1µA) 使这些器件非常适合于电池供电系统和其他供电功率受限的系统。其宽输入电压范围可适应多种电池 / 输入配置。
栅极驱动电压在内部箝位于 7.5V，从而为外部 MOSFET 栅极提供了保护作用。MOSFET 可以采用高端或低端模式进行驱动。
LTC1981 单通道驱动器版本还包括一个 “栅极驱动就绪” 引脚，并具有两倍于双通道驱动器 LTC1982 的驱动电流能力。
LTC1981 采用 5 引脚 SOT-23 封装。LTC1982 采用 6 引脚 SOT-23 封装。
应用
- 蜂窝电话
- 便携式 POS 终端
- 手持式电池供电设备
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
-
R421 Reliability Data3/23/2018
工具及仿真模型
LTspice中提供以下器件型号：
LTC1982
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| LTC1982ES6#TRMPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 6-Lead TSOT-23 | |
| LTC1982ES6#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 6-Lead TSOT-23 | |
| Wafer Fabrication Data | R421 Reliability Data |
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