LT1162
量产半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
- 产品模型
- 4
概述
- 工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关
- 可把顶端N沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于负载HV电源电压
- 180ns 变换时间 (驱动 10,000pF)
- 自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通
- 在高占空比条件下提供了顶端驱动器保护
- TTL/CMOS 输入电平
- 具迟滞的欠压闭锁
- 工作电源电压范围：10V 至 15V
- 单独的顶端和底端驱动引脚
LT®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。
内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。
在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。
LT1162 是 LT1160 的双通道版本，采用 24 引脚 PDIP 或24 引脚 SO 宽体封装。
Applications
- 高电流电感性负载的PWM
- 半桥式和全桥式电机控制
- 同步降压型开关稳压器
- 三相无刷电机驱动
- 高电流换能器驱动器
- D 类功率放大器
参考资料
数据手册 1
可靠性数据 1
应用笔记 2
规范通知 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| LT1162CSW#PBF | 24-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch) | ||
| LT1162CSW#TRPBF | 24-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch) | ||
| LT1162ISW#PBF | 24-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch) | ||
| LT1162ISW#TRPBF | 24-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
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8月 10, 2022 - 22_0176 Laser Top Mark Conversion for SOIC_W Packages Assembled in ADPG [PNG] and UTL |
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| LT1162CSW#PBF | 量产 | |
| LT1162CSW#TRPBF | 量产 | |
| LT1162ISW#PBF | 量产 | |
| LT1162ISW#TRPBF | 量产 | |
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