LT1160
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LT1160

半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

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产品模型 6
特性
  • 工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关
  • 可把顶端 N 沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于负载HV 电源电压
  • 180ns 变换时间 (驱动 10,000pF)
  • 自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通
  • 在高占空比条件下提供了顶端驱动器保护
  • TTL/CMOS 输入电平
  • 具迟滞的欠压闭锁
  • 工作电源电压范围:10V 至 15V
  • 单独的顶端和底端驱动引脚
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LT®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源,以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。

内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。

在低供电电压或启动条件下,欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平,以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞,因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。

LT1162 是 LT1160 的双通道版本,采用 24 引脚P DIP 或24 引脚 SO 宽体封装。


Applications

  • 高电流电感性负载的PWM
  • 半桥式和全桥式电机控制
  • 同步降压型开关稳压器
  • 三相无刷电机驱动
  • 高电流换能器驱动器
  • D 类功率放大器
产品模型 6

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参考资料

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LT1160CN#PBF
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10月 11, 2022

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8月 6, 2022

- 22_0172

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10月 12, 2022

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8月 6, 2022

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