概览
优势和特点
- 转换损耗: 10 dB(典型值)
- 边带抑制: 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率:22 dBc 16 dBm(典型值)
- 输入三阶交调截点(IP3): 24 dBm(典型值)
- 输入二阶交调截点(IP2): -5 dBm(典型值)
- RFOUT上6倍本振(LO)泄漏: -23 dBm(典型值)
- RF回损: 12 dB(典型值)
- LO回损: 20 dB(典型值)
- 裸片尺寸: 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm
产品详情
HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片,工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和22 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者,输入可通过使用针对单边带应用的外部90混合型器件和两个外部180型器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
应用
- E频段通信系统
- 高容量无线回程
- 测试与测量
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
参考资料
-
RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018
工具及仿真模型
设计工具
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
---|---|---|---|---|
HMC8119 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
HMC8119-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
Wafer Fabrication Data |
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