HMC8073
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HMC8073

0.6 GHz 到 3.0 GHz、0.5 dB LSB、6 位硅数字步进衰减器

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产品详情
产品模型 2
特性
  • 衰减范围:0.5 dB LSB,步进为 31.5 dB
  • 低插入损耗
    • 1.0 GHz 时为 1.1 dB
    • 2.0 GHz 时为 1.5 dB
  • 极高的衰减精度
  • 低于 ±0.25 dB(以及 3% 的衰减状态)
  • 低相移误差:1.0 GHz 时相移为 4°
  • 双向使用:30 dBm 高功率处理能力
  • 在 RFIN/RFOUT 引脚上提供内部直流隔断器
  • 高线性度
    • P1dB:31 dBm(典型值)
    • 输入 IP3:52 dBm(典型值)
    • 安全状态转换
  • TTL/CMOS 串行接口
    • 在单条数据总线上连接多达 8 个器件
  • 单电源供电:3.3 V 到 5.0 V
  • ESD 灵敏度额定值:1C 级(1 kV 人体模型)
  • 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装:9 mm2
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HMC8073 是一款 6 位数字步进衰减器 (DSA),工作频率范围为 0.6 GHz 到 3.0 GHz,衰减范围为 31.5 dB,步进为 0.5 dB。

HMC8073 通过硅工艺实现,具有很短的建立时间、低功耗以及高静电放电 (ESD) 抗扰性。该器件具有安全状态转换功能,从而能够在不发生过冲的情况下发生衰减状态变化,该器件还进行了优化,可以在工作频率和温度范围内实现出色的步进精度以及高功率和高线性度。射频 (RF) 输入和输出可在内部与 50 Ω 相匹配,不需要任何外部匹配组件。该设计是双向的,RF 输入和输出可互换。

利用 HMC8073 的外部地址功能,用户可以通过单条总线控制多达八个 DSA。该 DSA 具有一个片内稳压器,该稳压器支持 3.3 V 到 5.0 V 的宽电源工作范围,而不会在电气特性方面产生性能变化。HMC8073 包含一个互补金属氧化物半导体 (CMOS) - 和晶体管晶体管逻辑 (TTL) - 兼容接口,该接口支持对衰减器进行串行(3 线)控制。

HMC8073 采用符合 RoHS 指令的紧凑式 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。

应用

  • 蜂窝基础设施
  • 微波无线电 
  • 甚小孔径终端
  • 测试量设备和传感器
产品模型 2

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参考资料

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
HMC8073LP3DE
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HMC8073LP3DETR
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PCN

4月 19, 2022

- 22_0048

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软件和型号相关生态系统

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评估套件

评估套件 1

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EVAL-HMC8073

HMC8073 评估板

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EVAL-HMC8073

HMC8073 评估板

产品详情

HMC8073 评估板由 4 层材料构造而成,每层有 0.7 mil 厚的铜。每个铜层由介电材料进行隔离。顶层介电材料采用 10 mil RO4350。中间层和底层介电材料采用 FR-4,用于提供良好的机械强度以及大约 62 mil 的总体板厚度,从而允许 SMA 连接器在板的边缘滑入。
工具和仿真

工具及仿真模型 3

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