HMC7587
推荐新设计使用
E频段I/Q下变频器,81 GHz至86 GHz
- 产品模型
- 2
产品详情
- 转换增益: 10 dB(典型值)
- 镜像抑制: 30 dBc(典型值)
- 噪声系数: 6 dB(典型值)
- 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率: -10 dBm(典型值)
- 输出三阶交调截点(IP3): -2 dBm(典型值)
- 输出二阶交调截点(IP2): 25 dBm(典型值)
- RFIN上6倍LO泄漏: -40 dBm(典型值)
- 射频(RF)回波损耗: 10 dB(典型值)
- 本振(LO)回波损耗: 20 dB(典型值)
- 裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm
HMC7587是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下变频器芯片,工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和30 dBc边带抑制性能。 该器件采用低噪声放大器,后接由6倍倍频器驱动的图像抑制混频器。
该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器。 可针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输出。 或者,可利用外部90°混合型器件和两个外部180°混合型器件将输出合并,以实现单边带应用。 所有数据包括RF端口上3 mm宽线焊的效应以及中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
应用
- E频段通信系统
- 高容量无线回程
- 测试与测量
参考资料
数据手册 1
技术文章 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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HMC7587 | CHIPS OR DIE | ||
HMC7587-SX | CHIPS OR DIE |
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工具及仿真模型
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