HMC7586
推荐用于新设计
71 GHz至76 GHz,E频段I/Q下变频器
概述
- 转换增益: 12.5 dB(典型值)
- 镜像抑制: 28 dBc(典型值)
- 噪声系数: 5 dB(典型值)
- 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率: -9 dBm(典型值)
- 输出三阶交调截点(IP3): -1 dBm(典型值)
- 输出二阶交调截点(IP2): 20 dBm(典型值)
- RFIN上6倍本振(LO)泄漏: -40 dBm(典型值)
- IFOUT上1倍LO泄漏: -50 dBm(典型值)
- 射频(RF)回波损耗: 5 dB(典型值)
- LO回损: 20 dB(典型值)
- 裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm
HMC7586是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)同相和正交(I/Q)下变频器芯片,工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整个频段内提供12.5 dB小信号转换增益和28 dBc镜像抑制性能。 该器件采用低噪声放大器,后接由6倍倍频器驱动的图像抑制混频器。
该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器。 可针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输出。 或者,可利用外部90°混合型器件和两个外部180°混合型器件将输出合并,以实现单边带应用。 所有数据包括IF端口上1 mil金线焊的效应。
应用
- E频段通信系统
- 高容量无线回程
- 测试与测量
参考资料
数据手册 1
技术文章 1
产品选型指南 1
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