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特性
- 增益： 19.5 dB
- P1dB: +23 dBm
- 输出IP3： +29 dBm
- 饱和功率：
+24 dBm (15% PAE) - 电源电压： +5V (280 mA)
- 50 Ω匹配输入/输出<
- 裸片尺寸： 1.95 x 0.84 x 0.10 mm
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HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片，工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益，+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率（1 dB增益压缩时），功耗为280 mA（+5V电源）。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器，或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器，可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω，非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取，其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电和VSAT
- 混频器用LO驱动器
- 军事和太空
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HMC635-Die
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参考资料
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC635 | CHIPS OR DIE |
|
|
| HMC635-SX | CHIPS OR DIE |
|
- HMC635
- 引脚/封装图-中文版
- CHIPS OR DIE
- 文档
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Material Declaration
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Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
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SamacSys
- HMC635-SX
- 引脚/封装图-中文版
- CHIPS OR DIE
- 文档
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Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
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Ultra Librarian
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工具及仿真模型 3
S-参数 1
S-参数
ADIsimRF
Sys-Parameter