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HMC635 Die Data Sheet10/19/2015
概览
优势和特点
- 增益： 19.5 dB
- P1dB: +23 dBm
- 输出IP3： +29 dBm
- 饱和功率：
+24 dBm (15% PAE) - 电源电压： +5V (280 mA)
- 50 Ω匹配输入/输出<
- 裸片尺寸： 1.95 x 0.84 x 0.10 mm
产品详情
HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片，工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益，+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率（1 dB增益压缩时），功耗为280 mA（+5V电源）。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器，或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器，可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω，非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取，其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电和VSAT
- 混频器用LO驱动器
- 军事和太空
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
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RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018
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仪器仪表级毫米波信号链9/9/2020
工具及仿真模型
S参数
PDF
HMC635 Die S-Parameters
693.88 K
设计工具
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC635 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| HMC635-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
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