HMC606-Die

量产

宽带低相位噪声放大器芯片，2 - 18 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

超低相位噪声： -160 dBc/Hz( 10 kHz)
P1dB输出功率： +15 dBm
增益： 14 dB

输出IP3： +27 dBm
电源电压： +5V (64mA)
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸：2.80 x 1.73 x 0.1 mm

产品模型: 2

参考资料

数据手册 1

HMC606-Die: GaAs InGaP HBT MMIC Ultra Low Phase Noise, Distributed Amplifier, 2 - 18 GHz Data Sheet 05/06/2021

应用笔记 4

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC606	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC606-SX	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

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S-参数 1

HMC606 Die S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.