HMC590-Die
量产1 W功率放大器芯片，6 - 10 GHz
- 产品模型
- 2
概述
- 饱和输出功率：
+31.5 dBm (25% PAE) - 输出IP3： +41 dBm
- 增益： 24 dB
- 直流电源： +7V (820 mA)
- 50 Ω匹配输入/输出
- 裸片尺寸： 2.47 x 1.33 x 0.1 mm
HMC590是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC 1 W功率放大器，工作频率范围为6至10 GHz。 该放大器裸片提供24 dB增益，饱和功率为+31.5 dBm，电源电压为+7.0V (25% PAE)。 隔直RF I/O匹配至50 Ω，可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。
所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过直径为0.025mm (1 mil)、长度为0.31mm (12 mil)的线焊连接。 对于需要较佳OIP3的应用，Idd应设置为520 mA以产生+41 dBm OIP3。 对于需要较佳输出P1dB的应用，Idd应设置为820 mA以产生高达+32 dBm输出P1dB。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电
- 测试设备和传感器
- 军用最终用途
- 太空
参考资料
数据手册 1
应用笔记 4
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC590 | CHIPS OR DIE | ||
| HMC590-SX | CHIPS OR DIE |
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Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
打开工具S-参数 1
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