替代器件

  • HMC1119
    HMC1119

    Functional alternative in Silicon (SOI)

概览

优势和特点

  • 0.25 dB LSB步进至7.75 dB
  • 步长误差:±0.05 dB(典型值)
  • 低插入损耗: 0.7 dB
  • 高IP3: +62 dBm
  • 每位单个控制线路
  • TTL/CMOS兼容控制
  • +3/+5V单电源
  • 3x3 mm SMT封装

产品详情

HMC539A是一款宽带5位GaAs IC数字衰减器,采用低成本引脚表贴封装。 这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器,在接近直流的情况下工作,这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。 工作频率范围DC至4.0 GHz,插入损耗低于0.7 dB典型值。 对于7.75 dB的总衰减,衰减器位值为0.25 (LSB)、0.5、1、2和4 dB。 它具有出色的衰减精度,典型步长误差为± 0.05 dB。 衰减器还具有+50 dBm高IP3。 五个TTL/CMOS控制输入用于选择各衰减状态。 需+5V Vdd单偏置。

应用

  • 蜂窝通信基础设施
  • ISM, MMDS, WLAN, WiMAX, WiBro 
  • 微波无线电和VSAT
  • 测试设备和传感器

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADI公司的ADIsimRF设计工具可以计算RF信号链内的大部分重要参数,包括级联增益、噪声系数、IP3、P1dB和总功耗。

设计资源

ADI始终把满足您最高可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

讨论

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