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HMC445 Data Sheet4/22/2015
概览
优势和特点
- 输出功率： +7 dBm
- 次谐波抑制： >25 dBc
- SSB相位噪声： -130 dBc/Hz
- 单电源： 5V (78 mA)
- 16 mm²无引脚SMT封装
产品详情
HMC445LP4(E)是一款有源微型x16倍频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+7 dBm（典型值），电源电压为5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制>25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-130 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 HMC445LP4(E)非常适合在LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。
应用
- 光纤产品
- 点对点无线电
- 军用雷达
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
工具及仿真模型
S参数
ZIP
HMC445 S-Parameters
5.99 K
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC445LP4E | 材料声明 | 质量和可靠性 | 24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP) | |
| HMC445LP4ETR | 材料声明 | 质量和可靠性 | 24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP) | |
| Wafer Fabrication Data |
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