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概览

优势和特点

  • 增益: 20 dB
  • 34% PAE (Psat = +26 dBm)
  • 3.7% EVM (Pout = +15 dBm)
  • 具有54 Mbps OFDM信号
  • 电源电压: +3 V
  • 省电功能
  • 外部器件数量少

产品详情

HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器,工作频率范围为4.9至5.9 GHz。 该放大器采用低成本、无铅表面贴装封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益,饱和功率为+26 dBm(34% PAE时),电源电压为+3V。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 对于+15 dBm OFDM输出功率(64 QAM,54 Mbps),HMC415LP3(E)可实现3.7%的误差矢量幅度(EVM),从而满足802.11a线性度要求。

应用

  • 802.11a WLAN
  • HiperLAN WLAN
  • 接入点
  • UNII和ISM无线电

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

设计资源

ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
HMC415LP3E 材料声明 质量和可靠性 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
HMC415LP3ETR 材料声明 质量和可靠性 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
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