概览
优势和特点
- 超低SSB相位噪声： -149 dBc/Hz
- 宽带宽
- 输出功率：-6 dBm
- 单直流电源：+5V
- S8G SMT封装
产品详情
HMC362S8G和HMC362S8GE均为低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。此器件在DC（使用方波输入）至12 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-149 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。
应用
- 卫星通信系统
- 光纤产品
- 点对点和点对多点无线电
- VSAT
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
参考资料
-
RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018
-
Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-A (QTR: 2013-00228)10/29/2015
-
Package/Assembly Qualification Test Report: Plastic Encapsulated SOIC (QTR: 02018 REV: 01)10/29/2015
-
PCN: MS, QS, SOT, SOIC Packages - Sn/Pb Plating Vendor Change1/17/2014
-
HMC Legacy PCN: S## and S##E packages - Relocation of pre-existing production equipment to new building2/1/2013
-
SOIC 8 Tape Specification (S8, S8G)4/1/2015
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC362S8G | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC w/ EP | |
| HMC362S8GE | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC w/ EP | |
| HMC362S8GETR | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC w/ EP | |
| HMC362S8GTR | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC w/ EP | |
| Wafer Fabrication Data |
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