HMC362S8G
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HMC362S8G

使用InGaP HBT技术，4分频，采用SMT封装，DC - 12 GHz

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特性
  • 超低SSB相位噪声： -149 dBc/Hz
  • 宽带宽
  • 输出功率：-6 dBm
  • 单直流电源：+5V
  • S8G SMT封装
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HMC362S8G和HMC362S8GE均为低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。此器件在DC（使用方波输入）至12 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-149 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。

应用

  • 卫星通信系统
  • 光纤产品
  • 点对点和点对多点无线电
  • VSAT
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HMC362S8G

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更新 04/20/2021
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HMC362S8G/HMC362S8GE: SMT GaAs HBT MMIC Divide-by-4, DC - 12 GHz Data Sheet

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更新 06/01/2017
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参考资料

质量文档 4

PCN: MS, QS, SOT, SOIC Packages - Sn/Pb Plating Vendor Change
HMC Legacy PCN: S## and S##E packages - Relocation of pre-existing production equipment to new building
Package/Assembly Qualification Test Report: Plastic Encapsulated SOIC (QTR: 02018 REV: 01)
Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-A (QTR: 2013-00228)

产品选型指南 1

RF、微波和毫米波IC选型指南

磁带和卷轴规格 1

SOIC 8 Tape Specification (S8, S8G)

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC362S8G 8-Lead SOIC w/ EP external-link
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HMC362S8GE 8-Lead SOIC w/ EP external-link
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HMC362S8GETR 8-Lead SOIC w/ EP external-link
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HMC362S8GTR 8-Lead SOIC w/ EP external-link
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PCN

1月 29, 2021

- 21_0021

Correction of Package Outline Drawing for Select HMC Products in Carsem in the 8L SOIC E-Pad Package

HMC362S8G

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HMC362S8GE

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HMC362S8GETR

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5月 6, 2019

- 19_0063

Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia

HMC362S8G

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HMC362S8GE

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1月 29, 2021

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