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概览

优势和特点

  • 饱和输出功率:+26 dBm
  • > 40% PAE
  • 输出 IP3:+36 dBm
  • 高增益:21 dB
  • Vs:+5V
  • 超小型封装:MSOP8G

产品详情

HMC326MS8G 和 HMC326MS8GE 是高效率的 GaAs InGaP 异质结双极晶体管 (HBT) MMIC 驱动放大器,工作频率为 3.0 GHz 至 4.5 GHz。该放大器采用低成本、表面贴装且裸露基底的 8 引脚封装,旨在改善 RF 和热性能。该放大器使用 +5V 电源电压,可提供 21 dB 的增益和 +26 dBm 的饱和功率。不使用放大器时,可以使用关断功能来节省流耗。内部电路匹配功能经过优化,可提供大于 40% 的 PAE。

应用

  • 微波无线电
  • 宽带无线电系统
  • 无线本地环路驱动放大器

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

设计资源

ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
HMC326MS8G 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP w/ EP
HMC326MS8GE 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP w/ EP
HMC326MS8GETR 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP w/ EP
HMC326MS8GTR 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP w/ EP
Wafer Fabrication Data

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