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HMC311LP3/HMC311LP3E: InGaP HBT Gain Block MMIC Amplifier, DC - 6 GHz Data Sheet10/22/2015PDF932 K
概览
优势和特点
- P1dB输出功率： +15.5 dBm
- 输出IP3： +32 dBm
- 增益： 14.5 dB
- 50 Ohm I/O’s
- 16引脚3x3 mm SMT封装： 9mm²
产品详情
HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封装放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+17 dBm的HMC混频器LO。 HMC311LP3(E)提供14.5 dB的增益，+32 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。
应用
- 蜂窝/PCS/3G
- 固定无线和WLAN
- 有线电视和电缆调制解调器
- 微波无线电
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
参考资料
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AN-1604：采用LFCSP和法兰封装的RF放大器的热管理计算（修订版0）8/9/2019PDF247 K
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Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note11/11/2015PDF189 K
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针对电子测试和测量的RF和微波解决方案4/1/2016
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RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018PDF3 M
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Package/Assembly Qualification Test Report: 16L 3x3mm QFN Package (QTR: 11003 REV: 02)5/3/2019PDF1 M
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Package/Assembly Qualification Test Report: Plastic Encapsulated QFN (QTR: 05006 REV: 02)4/25/2017PDF0 M
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Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-B (QTR: 2013-00229)10/29/2015PDF799 K
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Package/Assembly Qualification Test Report: LP2, LP2C, LP3, LP3B, LP3C, LP3D, LP3F, LP3G (QTR: 2014-0364)10/29/2015PDF1 M
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LP3, LC3, LC3B Tape and Reel Outline Dimensions4/1/2015PDF381 K
工具及仿真模型
S参数
ZIP
HMC311LP3 S-Parameters
16.64 K
设计工具
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
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