HMC1131

推荐新设计使用

GaAs、pHEMT、MMIC、中等功率放大器，24 GHz至35 GHz

数据手册 (Rev. C) 产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

高饱和输出功率(PSAT)： 25 dBm
高输出三阶交调截点(IP3)： 35 dBm
高增益： 22 dB（24 GHz至27 GHz）
针对1 dB压缩(P1dB)的高输出功率： 24 dBm
直流电源： 5 V (225 mA)
紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装

参考资料

数据手册 1

HMC1131: GaAs, pHEMT, MMIC, Medium Power Amplifier, 24 GHz to 35 GHz Data Sheet (Rev.C) 09/10/2015

应用笔记 4

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1131LC4	24-Lead LCC (4 x 4mm)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC1131LC4TR	24-Lead LCC (4 x 4mm)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

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工具及仿真模型

S-参数 1

HMC1131LC4 S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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