HMC1121

推荐新设计使用

4 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器，5.5 GHz至8.5 GHz

数据手册 (Rev. A) 产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

高饱和输出功率(PSAT)：36.5 dBm（功率附加效率(PAE)为30%时）
高输出三阶交调截点(IP3)：44 dBm（典型值）
高增益：28 dB（典型值）
针对1 dB压缩(P1dB)的高输出功率：36 dBm（典型值）
总电源电流：2200 mA (7 V)
40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装：36 mm²

参考资料

数据手册 1

HMC1121: 4 W, GaAs, pHEMT, MMIC Power Amplifier, 5.5 GHz to 8.5 GHz Data Sheet (Rev.A) 07/27/2016

应用笔记 5

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

AN-2578: Using the VREF Pin of RF Amplifier Power Detectors to Monitor Die Temperature 02/12/2024

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1121LP6GE	40-Lead QFN (6mm x 6mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC1121LP6GETR	40-Lead QFN (6mm x 6mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

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S-参数 1

HMC1121LP6GE S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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